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1. (WO2003065052) PROCEDE RELATIF A LA FABRICATION D'UN ACCELEROMETRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

demande internationale considérée comme retirée 2003-01-27 00:00:00.0


N° de publication :    WO/2003/065052    N° de la demande internationale :    PCT/SG2003/000003
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 07.01.2003
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), B81B 7/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), G01P 1/02 (2006.01), G01P 15/08 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01)
Déposants : SENSFAB PTE LTD [SG/SG]; 85 Science Park Drive, # 02-07, The Cavendish, Singapore Science Park, Singapore 18259 (SG) (Tous Sauf US).
CHONG, Wai, Mun [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
CHIR, Kim, Pong, Daniel [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
KOR, Kitt, Wai [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
KATHIRGAMASUNDARAM, Sooriakumar [US/SG]; (SG) (US Seulement).
BRYAN, Keith, Patmon [US/MY]; (MY) (US Seulement)
Inventeurs : CHONG, Wai, Mun; (SG).
CHIR, Kim, Pong, Daniel; (SG).
KOR, Kitt, Wai; (SG).
KATHIRGAMASUNDARAM, Sooriakumar; (SG).
BRYAN, Keith, Patmon; (MY)
Mandataire : DREW & NAPIER LLC; 20 Raffles Place, #17-00, Ocean Towers, Singapore 048620 (SG)
Données relatives à la priorité :
200200518-9 29.01.2002 SG
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING AN ACCELEROMETER
(FR) PROCEDE RELATIF A LA FABRICATION D'UN ACCELEROMETRE
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing an accelerometer that includes the steps of etching at least one cavity into the top side of a substrate, bonding a top layer of material onto the top side of the substrate, depositing metallization onto the layer of material and etching to top layer of material to form a sensor structure suspended over each cavity.
(FR)L'invention concerne un procédé relatif à la fabrication d'un accéléromètre, qui comprend les étapes suivantes: attaque d'au moins une cavité dans le côté supérieur d'un substrat, liaison d'une couche supérieure de matériau sur le côté supérieur du substrat, métallisation par dépôt sur la couche supérieure de matériau, et attaque de cette couche pour former une structure de capteur suspendue au-dessus de chaque cavité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)