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1. (WO2003064721) DISPOSITIF D'EMISSION DE VAPEUR DE CESIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/064721    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/002632
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 30.01.2003
CIB :
C23C 14/24 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Déposants : PLASMION CORPORATION [US/US]; 50 Harrison Street, Hoboken, NJ 07030 (US)
Inventeurs : SOHN, Minho; (US).
KIM, Seungdeok; (US).
KIM, Steven; (US)
Mandataire : BOSWELL, Mary, Jane; Morgan, Lewis & Bockius LLP, 1111 Pennsylvania Avenue, NW, Washington, DC 20004 (US)
Données relatives à la priorité :
10/058,340 30.01.2002 US
Titre (EN) CESIUM VAPOR EMITTER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF D'EMISSION DE VAPEUR DE CESIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The specification and drawings describe and show embodiments of the present invention in the cesium vapor emitter and the method of fabricating the same. More specifically, the cesium vapor emitter of the present invention includes a housing having at least one chamber therein and at least one channel, wherein the channel has a size wide enough to introduce a desired amount of cesium vapor, a cesium reservoir placed in the chamber, wherein the cesium reservoir is filled with a cesium slurry and a plug located between the cesium slurry and the channel, thereby emitting the cesium vapor from the cesium slurry through the channel, and a stopper securing the cesium reservoir in the chamber, so that the cesium vapor is emitted through the channel.
(FR)La description et les dessins décrivent et représentent des modes de réalisation de la présente invention, laquelle concerne un dispositif d'émission de vapeur de césium et son procédé de fabrication. Plus particulièrement, le dispositif d'émission de vapeur de césium de la présente invention comprend un boîtier renfermant au moins une chambre et au moins un canal, ce canal présentant une largeur suffisante pour l'introduction d'une quantité souhaitée de vapeur de césium, un réservoir de césium disposé dans cette chambre, ce réservoir de césium étant rempli avec une pâte de césium, un tampon étant situé entre la pâte de césium et le canal, d'où une émission de vapeur de césium depuis la pâte de césium à travers ledit canal, ainsi qu'un bouchon permettant de retenir le réservoir de césium dans la chambre de façon que la vapeur de césium soit émise à travers le canal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)