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1. (WO2003064495) SUBSTRATS MICROELECTRONIQUES RENDUS PLANS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/064495    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/035756
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 06.11.2002
CIB :
C08G 61/10 (2006.01), H01B 3/30 (2006.01), H05K 1/00 (2006.01), H05K 3/28 (2006.01), H05K 3/46 (2006.01)
Déposants : DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC. [US/US]; Washington Street, 1790 Building, Midland, MI 48674 (US) (Tous Sauf US).
FOSTER, Kenneth, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
RADLER, Michael, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FOSTER, Kenneth, L.; (US).
RADLER, Michael, J.; (US)
Mandataire : ZERULL, Susan, Moeller; The Dow Chemical Company, Intellectual Property, P.O. Box 1967, Midland, MI 48641-1967 (US)
Données relatives à la priorité :
60/338,054 07.11.2001 US
Titre (EN) PLANARIZED MICROELECTRONIC SUBSTRATES
(FR) SUBSTRATS MICROELECTRONIQUES RENDUS PLANS
Abrégé : front page image
(EN)The instant invention is a process for planarizing a microelectronic substrate with a cross-linked polymer dielectric layer, comprising the steps of: (a) heating such a substrate coated with a layer comprising an uncured cross-linkable polymer and a glass transition suppression modifier to a temperature greater than the glass transition temperature of the layer, the temperature being less than the curing temperature of the uncured cross-linkable polymer to form a substrate coated with a heat flowed layer; and (b) heating the substrate coated with the heat flowed layer to a curing temperature of the uncured cross-linkable polymer of the heated layer to cure the uncured cross-linkable polymer to form a planarized substrate wherein the percent planarization at 100 micrometers is greater than fifty percent. The instant invention is a microelectronic device made using the above-described process. The instant invention is a composition of matter, comprising: an essentially solvent free composition comprising an uncured cross-linkable polymer and a glass transition suppression modifier, the composition having a glass transition temperature sufficiently less than the curing temperature of the uncured composition so that if the uncured composition is heated to a temperature above its glass transition temperature but below its curing temperature, the uncured composition will flow.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de rendre plan un substrat microélectronique, au moyen d'une couche diélectrique de polymère réticulé, consistant: (a) à chauffer un tel substrat revêtu d'une couche constituée d'un polymère réticulable non durci et d'un agent modificateur suppresseur de transition vitreuse à une température supérieure à la température de transition vitreuse de la couche, la température de chauffage étant inférieure à la température de durcissement du polymère réticulable afin de former un substrat recouvert d'une couche égalisée par écoulement à la chaleur, et (b) à chauffer le substrat revêtu de la couche égalisée jusqu'à température de durcissement du polymère réticulable de cette couche afin de durcir le polymère réticulable en vue de former un substrat rendu plan, le pourcentage de planéité à 100 micromètres étant supérieur à 50. L'invention concerne aussi un dispositif microélectronique fabriqué au moyen du procédé décrit ci-dessus. Elle concerne enfin une composition de matière comprenant: une composition essentiellement sans solvant contenant un polymère réticulable non durci et un agent de modification suppresseur de transition vitreuse, cette composition possédant une température de transition vitreuse suffisamment inférieure à la température de durcissement de la composition non durcie de façon que si la composition non durcie est chauffée à une température supérieure à sa température de transition vitreuse mais inférieure à sa température de durcissement, cette composition pourra s'écouler.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)