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1. (WO2003064437) COMPLEXES DE CUIVRE ET PROCEDE DE FABRICATION DE FILMS MINCES CONTENANT DU CUIVRE AU MOYEN DESDITS COMPLEXES DE CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/064437    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/001014
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 31.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.07.2003    
CIB :
C07F 7/18 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01)
Déposants : UBE INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1978-96, O-Aza Kogushi, Ube-shi, Yamaguchi 755-8633 (JP) (Tous Sauf US).
KADOTA, Takumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASEGAWA, Chihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANUKI, Kouhei [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KADOTA, Takumi; (JP).
HASEGAWA, Chihiro; (JP).
WATANUKI, Kouhei; (JP)
Mandataire : YANAGAWA, Yasuo; Mitsuya-Yotsuya Building 8th Floor, 2-14, Yotsuya, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-22798 31.01.2002 JP
2002-261357 06.09.2002 JP
Titre (EN) COPPER COMPLEXES AND PROCESS FOR FORMATION OF COPPER-CONTAINING THIN FILMS BY USING THE SAME
(FR) COMPLEXES DE CUIVRE ET PROCEDE DE FABRICATION DE FILMS MINCES CONTENANT DU CUIVRE AU MOYEN DESDITS COMPLEXES DE CUIVRE
Abrégé : front page image
(EN)Copper-containing thin films can be industrially advantageously formed through chemical vapor deposition by using as the copper source a copper(II) complex bearing &bgr;-diketonato ligands having silyl ether linkages, and representative example of the copper(II) complex are compounds represented by the general formula (I): (I) (I-I) wherein Z is hydrogen or alkyl; X is a group represented by the general formula (I-I) (wherein Ra is alkylene; and Rb, Rc, and Rd are each alkyl); and Y is a group represented by the general formula (I-I) (wherein Ra is alkylene; and Rb, Rc, and Rd are each alkyl), or alkyl.
(FR)L'invention concerne des films minces contenant du cuivre. Ces films peuvent être fabriqués de manière industrielle, par la mise en oeuvre d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, au moyen de ligands $g(b)-dicétonato contenant des complexes de cuivre (II) et comportant des liaisons éther de silyle, lesdits ligands étant utilisés en tant que source de cuivre. Les composés de formule générale (I), dans laquelle Z représente hydrogène ou alkyle; X représente un groupe de formule générale (I-I) (dans laquelle Ra représente alkylène; et Rb, Rc et Rd représentent chacun alkyle); et Y représente un groupe de formule générale (I-I) (dans laquelle Ra représente alkylène; et Rb, Rc et Rd représentent chacun alkyle) ou alkyle, constituent un exemple représentatif des complexes de cuivre (II) selon l'invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)