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1. (WO2003064344) SUBSTRAT TRANSPARENT MUNI D'UNE ELECTRODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/064344    N° de la demande internationale :    PCT/FR2002/004059
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 27.11.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.02.2003    
CIB :
C03C 17/23 (2006.01), C03C 17/245 (2006.01), C03C 17/34 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01)
Déposants : SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE [FR/FR]; 18, avenue d'Alsace, F-92400 Courbevoie (FR) (Tous Sauf US).
BLIESKE, Ulf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
DURANDEAU, Anne [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BLIESKE, Ulf; (DE).
DURANDEAU, Anne; (FR)
Mandataire : SAINT-GOBAIN RECHERCHE; 39, quai Lucien Lefranc, F-93300 Aubervilliers (FR)
Données relatives à la priorité :
01/15353 28.11.2001 FR
Titre (EN) TRANSPARENT SUBSTRATE COMPRISING AN ELECTRODE
(FR) SUBSTRAT TRANSPARENT MUNI D'UNE ELECTRODE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a glass substrate (1) that is equipped with an electrode, comprising at least one transparent conducting layer (3) which is based on metallic oxide(s). The inventive substrate is characterised in that the surface roughness (RMS) of said layer is at least 3nm and, in particular, at least 5nm, and the average size of the surface roughness patterns is at least 50nm.
(FR)L'invention concerne un substrat verrier (1) muni d'une électrode comprenant au moins une couche transparente conductrice (3) à base d'oxyde(s) métalliques(s), caractérisé en ce que ladite couche présente une rugosité RMS d'au moins 3nm, notamment d'au moins 5nm et/ou une taille moyenne des motifs de cette rugosité d'au moins 50nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)