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1. (WO2003064065) METHODE POUVANT REDUIRE LA FORMATION DE CONTAMINANTS AU COURS DE PROCEDES SUPERCRITIQUES AU GAZ CARBONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/064065    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/002207
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 24.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.07.2003    
CIB :
B08B 7/00 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : SUPERCRITICAL SYSTEMS INC. [US/US]; 2120 W. Guadalupe Road, Gilbert, AZ 85223 (US)
Inventeurs : BERTRAM, Ron; (US).
JONES, Bill; (US).
SCOTT, Doug; (US)
Mandataire : HAVERSTOCK, Thomas, B.; Haverstock & Owens LLP, 162 North Wolfe Road, Sunnyvale, CA 94086 (US)
Données relatives à la priorité :
60/351,897 25.01.2002 US
Titre (EN) METHOD FOR REDUCING THE FORMATION OF CONTAMINANTS DURING SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE PROCESSES
(FR) METHODE POUVANT REDUIRE LA FORMATION DE CONTAMINANTS AU COURS DE PROCEDES SUPERCRITIQUES AU GAZ CARBONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for reliably reducing the formation of particles upon wafers or substrates during wafer processes is disclosed. The method and system reduces residue contamination of a substrate material during wafer processes by pre−filling a pressure chamber to a first pressure P1, with a purified pre−fill prior to filling the pressure chamber with a primary bulk source at a second pressure P2. By pre−filling a chamber with purified pre−fill source at the first pressure P1, which is substantially equal to the bulk source pressure P2, the contaminants found in the bulk CO2 remain within the bulk C02. Thus, this method and system reduces precipitation of contaminates caused by the depressurization of the bulk source during wafer processes and thereby reduces corresponding substrate material contamination.
(FR)L'invention concerne une méthode et un système qui permettent de réduire de manière fiable la formation de particules sur des plaquettes ou des substrats au cours d'un traitement de plaquettes. La méthode et le système de l'invention permettent de diminuer la contamination d'un matériau substrat, au cours d'un traitement de plaquettes, par préremplissage d'une chambre de pression, à une première pression P1, avec une source de préremplissage purifiée préalablement au remplissage de la chambre de pression avec une source principale en vrac, effectué à une seconde pression P2. Le préremplissage d'une chambre de pression avec une source de préremplissage purifiée, à la première pression P1 qui est sensiblement égale à la pression P2 de la source en vrac, fait que les contaminants rencontrés dans le CO2 en vrac y sont maintenus. La méthode et le système de l'invention réduisent ainsi la précipitation de contaminants causée par la dépressurisation de la source en vrac lors d'un traitement de plaquettes, ce qui réduit d'autant la cotamination du matériau substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)