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1. WO2003025979 - PROCÉDÉ DE MESURE OPTIQUE AUTOMATISÉE D'UNE STRUCTURE OPC

Numéro de publication WO/2003/025979
Date de publication 27.03.2003
N° de la demande internationale PCT/EP2002/010545
Date du dépôt international 19.09.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.03.2003
CIB
G03F 1/00 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
G03F 1/36
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
G03F 1/84
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
84Inspecting
Déposants
  • MUETEC AUTOMATISIERTE MIKROSKOPIE UND MESSTECHNIK GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • BRÜCK, Hans-Jürgen [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SCHEURING, Gerd [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • BRÜCK, Hans-Jürgen
  • SCHEURING, Gerd
Mandataires
  • SCHOPPE, Fritz
Données relatives à la priorité
101 46 355.320.09.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUM AUTOMATISCHEN OPTISCHEN VERMESSEN EINER OPC-STRUKTUR
(EN) METHOD FOR AUTOMATIC OPTICAL MEASUREMENT OF AN OPC STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE OPTIQUE AUTOMATISÉE D'UNE STRUCTURE OPC
Abrégé
(DE)
Bei einem Verfahren zum optischen Vermessen einer OPC-Struktur (306), die einer vorbestimmten Struktur (302) auf einer Photomaske zugeordnet ist, um eine Abmessung der Struktur in zumindest einer Richtung zu erfassen, wird zunächst ein Bereich (300) auf der Photomaske festgelegt, der die zu vermessende OPC-Struktur (306) umfasst. Anschliessend wird in einer ersten Richtung die Intensität des festgelegten Bereichs (300) abgetastet und für jede Abstastung wird der Ort festgelegt, an dem die Intensität eine Schwelle durchläuft. Der maximale Abstand zwischen einer Kante (308) der Struktur (302) und einer Kante (312) der zugehörigen OPC-Struktur (306) wird basierend auf der Differenz der festgelegten Orte bestimmt.
(EN)
The invention relates to a method for optical measurement of an OPC structure (306), having a pre-determined structure (302) on a photo-mask, in order to determine a measurement of the structure in at least one direction, whereby, firstly, a region (300) is determined on the photo-mask, which comprises the OPC structure (306) to be measured. The intensity of the determined region (300) is then scanned in a first direction and the region in which the intensity passes a threshold is determined for each scan. The maximum separation between an edge (308) of the structure (302) and an edge (312) of the corresponding OPC structure (306) is determined, based on the difference of the determined regions.
(FR)
L'invention concerne un procédé de mesure optique d'une structure OPC (306) (correction des effets de proximité optiques), cette structure étant associée à une structure prédéfinie (302) sur un photomasque. Pour saisir une dimension de la structure au moins dans une direction, on détermine d'abord une zone (300) sur le photomasque qui comprend la structure OPC (306) à mesurer. Ensuite, l'intensité de la zone (300) définie est explorée dans une première direction, et lors de chaque balayage est déterminé l'emplacement où cette intensité dépasse un certain seuil. L'écartement maximum entre un bord (308) de la structure (302) et un bord (312) de la structure OPC (306) associée est calculé sur la base de la différence des emplacements déterminés.
Également publié en tant que
IL160949
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