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1. WO2003023818 - MEMOIRE ELECTROMECANIQUE COMPRENANT UN CIRCUIT DE SELECTION DES CELLULES CONSTRUIT AVEC LA TECHNOLOGIE DES NANOTUBES

Numéro de publication WO/2003/023818
Date de publication 20.03.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/023860
Date du dépôt international 25.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 24.02.2003
CIB
B81B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
3Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
G11C 13/02 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
13Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
02utilisant des éléments dont le fonctionnement dépend d'un changement chimique
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 27/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
24comprenant des composants à l'état solide pour le redressement, l'amplification ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G11C 13/025
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
02using elements whose operation depends upon chemical change
025using fullerenes, e.g. C60, or nanotubes, e.g. carbon or silicon nanotubes
G11C 2213/77
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
70Resistive array aspects
77Array wherein the memory element being directly connected to the bit lines and word lines without any access device being used
G11C 2213/81
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
70Resistive array aspects
81Array wherein the array conductors, e.g. word lines, bit lines, are made of nanowires
G11C 23/00
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
23Digital stores characterised by movement of mechanical parts to effect storage, e.g. using balls; Storage elements therefor
H01H 1/0094
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
1Contacts
0094Switches making use of nanoelectromechanical systems [NEMS]
Déposants
  • NANTERO, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • SEGAL, Brent, M.
  • BROCK, Darren, K.
  • RUECKES, Thomas
Mandataires
  • DICHIARA, Peter, M.
Données relatives à la priorité
09/915,17325.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ELECTROMECHANICAL MEMORY HAVING CELL SELECTION CIRCUITRY CONSTRUCTED WITH NANOTUBE TECHNOLOGY
(FR) MEMOIRE ELECTROMECANIQUE COMPRENANT UN CIRCUIT DE SELECTION DES CELLULES CONSTRUIT AVEC LA TECHNOLOGIE DES NANOTUBES
Abrégé
(EN)
A memory system having electromechanical memory cells and decoders is disclosed. A decoder circuit selects at least one of the memory cells of an array of such cells. Each cell in the array is a crossbar junction at least one element of which is a nanotube or a nenotybe ribbon. The decoder circuit is constructed of crossbar junctions at least one element of each junction being a nanotube or a nanotube ribbon.
(FR)
La présente invention concerne un système de mémoire comprenant des cellules de mémoire électromécanique et des décodeurs correspondants. Un circuit de décodeur sélectionne au moins une des cellules mémoire appartenant à un réseau de ces cellules. Chaque cellule appartenant au réseau est une jonction de barre transversale dont au moins un élément est un nanotube ou un ruban de nanotubes. Le circuit de décodeur est formé de jonctions de barres transversales dans lesquelles au moins un élément de chaque jonction est un nanotube ou un ruban de nanotubes.
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