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1. WO2003021690 - PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE D'OXYDE SUR UN SUBSTRAT ET CELLULE PHOTOVOLTAIQUE UTILISANT CE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2003/021690
Date de publication 13.03.2003
N° de la demande internationale PCT/CH2002/000458
Date du dépôt international 23.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 13.03.2003
CIB
C23C 16/40 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
40Oxydes
C23C 16/455 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
455caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01B 13/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
BCÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
13Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
H01L 21/44 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
44Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428177
H01L 23/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/52 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
CPC
H01L 31/075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
075the potential barriers being only of the PIN type
H01L 31/1884
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1884Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
Y02E 10/548
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
548Amorphous silicon PV cells
Déposants
  • UNIVERSITE DE NEUCHATEL [CH]/[CH] (AllExceptUS)
  • KROLL, Ulrich [DE]/[CH] (UsOnly)
  • MEIER, Johannes [CH]/[CH] (UsOnly)
Inventeurs
  • KROLL, Ulrich
  • MEIER, Johannes
Mandataires
  • GRESSET-LAESSER
Données relatives à la priorité
01810840.730.08.2001EP
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF DEPOSITING AN OXIDE LAYER ON A SUBSTRATE AND A PHOTOVOLTAIC CELL USING SAID SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE D'OXYDE SUR UN SUBSTRAT ET CELLULE PHOTOVOLTAIQUE UTILISANT CE SUBSTRAT
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method of depositing a transparent conductive oxide layer (12) on a tempered glass substrate (10) which is disposed inside a chamber (26). The inventive method consists in: providing sources (32, 34, 36) which contain an oxygen-based liquid compound, a liquid compound of the metal that is intended to form the oxide and a gas or liquid dopant respectively; establishing a temperature of between 130 and 300 °C and pressure of between 0.01 and 2 mbar in the chamber; and putting the sources in communication with said chamber. In this way, the liquids are vaporised at the surface thereof, sucked into the chamber without any need for a carrier gas and made to react with the dopant such that the oxide layer forms on the substrate.
(FR)
Le procédé selon l'invention permet de déposer une couche d'oxyde conducteur transparent (12) sur un substrat en verre trempé (10) disposé à l'intérieur d'une enceinte (26). Il consiste: à se doter de sources (32, 34, 36) contenant respectivement un composé liquide à base d'oxygène, un composé liquide du métal destiné a former l'oxyde, et un dopant sous forme gazeuse ou liquide, à établir dans l'enceinte une température comprise entre 130 et 300 °C et une pression comprise entre 0.01 et 2 mbar, puis à mettre lesdites sources en communication avec l'enceinte, ce qui a pour effet de vaporiser les liquides à leur surface, de les aspirer dans l'enceinte sans avoir à utiliser de gaz porteur, et de les y faire réagir avec le dopant de manière à ce que la couche d'oxyde soit formée sur le substrat.
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