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1. WO2003019639 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT FAISANT INTERVENIR UN GAZ DE TRAITEMENT ET SON MODE D'UTILISATION

Numéro de publication WO/2003/019639
Date de publication 06.03.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/008829
Date du dépôt international 30.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.02.2003
CIB
C23F 4/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
FENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
4Procédés pour enlever des matériaux métalliques des surfaces, non couverts par le groupe C23F1/ ou C23F3/149
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
C23F 4/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
4Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
H01J 37/32844
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
32816Pressure
32834Exhausting
32844Treating effluent gases
H01J 37/32862
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
32853Hygiene
32862In situ cleaning of vessels and/or internal parts
H01L 21/67017
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
H01L 21/67098
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • NAGASEKI, Kazuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HIRAYAMA, Yusuke [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • NAGASEKI, Kazuya
  • HIRAYAMA, Yusuke
Mandataires
  • YOSHITAKE, Kenji
Données relatives à la priorité
2001-26452931.08.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) TREATING DEVICE USING TREATING GAS, AND METHOD OF OPERATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT FAISANT INTERVENIR UN GAZ DE TRAITEMENT ET SON MODE D'UTILISATION
Abrégé
(EN)
A treating device (10) includes a treating vessel (11) for effecting a treatment, such as etching, using a treating gas therein, and a gas feeding mechanism (15) for feeding the treating gas into the treating vessel (11). Further, the treating device (10) includes a gas discharging mechanism (14) for discharging the gas after treatment from the treating vessel (11), and a gas circulating mechanism (21) for returning part of the gas being discharged by this gas discharging mechanism (14) into the treating vessel (11). The gas discharging mechanism (14) and gas circulating mechanism (21) are provided with heaters (22A, 22B) for heating them to prevent accumulation of impurities.
(FR)
Cette invention concerne un dispositif de traitement (10) comprenant un récipient de traitement (11) pour l'exécution d'un traitement, par exemple une gravure, au moyen d'un gaz de traitement contenu dans ledit réservoir, et un mécanisme d'alimentation en gaz (15) faisant passer le gaz de traitement dans le récipient de traitement (11). De plus, le dispositif de traitement (10) comprend un mécanisme de décharge du gaz (14) permettant d'évacuer, après traitement, le gaz hors du récipient (11), et un mécanisme de circulation du gaz (21) permettant de ramener dans le récipient (11) une partie du gaz évacué par le mécanisme de décharge de gaz (14). Les mécanismes de décharge du gaz (14) et de circulation du gaz (21) sont chauffés par des dispositifs chauffants (22A, 22B) qui les empêchent d'accumuler des impuretés.
Également publié en tant que
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