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1. WO2003019626 - PROCEDE DE FORMATION D'UN MOTIF SUR UNE PLAQUETTE SEMICONDUCTRICE AU MOYEN D'UN MASQUE REFLECHISSANT A DEPHASAGE ATTENUE

Numéro de publication WO/2003/019626
Date de publication 06.03.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/025253
Date du dépôt international 07.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.03.2003
CIB
G03F 1/24 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
22Masques ou masques vierges d'imagerie par rayonnement d'une longueur d'onde de 100 nm ou moins, p.ex. masques pour rayons X, masques en extrême ultra violet ; Leur préparation
24Masques en réflexion; Leur préparation
G03F 1/32 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
26Masques à décalage de phase ; Substrats pour PSM; Leur préparation
32PSM atténués , p.ex. PSM ayant une partie à décalage de phase semi-transparente, PSM en demi-ton; Leur préparation
G03F 1/72 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
72Réparation ou correction des défauts dans un masque
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
G03F 1/26 2012.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
26Masques à décalage de phase ; Substrats pour PSM; Leur préparation
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
G03F 1/24
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultra-violet [EUV] masks; Preparation thereof
24Reflection masks; Preparation thereof
G03F 1/26
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
G03F 1/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion,; Preparation thereof
G03F 1/72
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
72Repair or correction of mask defects
Déposants
  • MOTOROLA, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • MANGAT, Pawitter
  • HAN, Sang-In
Mandataires
  • KOCH, William, E.
Données relatives à la priorité
09/940,24127.08.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF FORMING A PATTERN ON A SEMICONDUCTOR WAFER USING AN ATTENUATED PHASE SHIFTING REFLECTIVE MASK
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN MOTIF SUR UNE PLAQUETTE SEMICONDUCTRICE AU MOYEN D'UN MASQUE REFLECHISSANT A DEPHASAGE ATTENUE
Abrégé
(EN)
A desirable pattern is formed in a photoresist layer that overlies a semiconductor wafer using an attenuating phase shift reflective mask. This mask is formed by consecutively depositing an attenuating phase shift layer, a buffer layer and a repairable layer. The repairable layer is patterned according to the desirable pattern. The repairable layer is inspected to find areas in which the desirable pattern is not achieved. The repairable layer is then repaired to achieve the desirable pattern with the buffer layer protecting the attenuating phase shift layer. The desirable pattern is transferred to the buffer layer and then transferred to the attenuating phase shift layer to achieve the attenuating phase shift reflective mask. Radiation is reflected off the attenuating phase shift reflective mask to the photoresist layer to expose it with the desirable pattern.
(FR)
L'invention se rapporte à la formation d'un motif approprié dans une couche de photorésine qui recouvre une plaquette semiconductrice, au moyen (10) d'un masque réfléchissant à déphasage atténué (100). Ce masque est formé par dépôt consécutif d'une couche à déphasage atténué (30), d'une couche tampon (40) et d'une couche réparable (50). Cette couche réparable (50) est imprimée en fonction du motif approprié. Ladite couche réparable (50) est examinée afin de repérer les zones dans lesquelles le motif approprié n'apparaît pas. La couche réparable (50) est ensuite réparée afin de faire apparaître le motif approprié, la couche tampon (45) servant de protection à la couche à déphasage atténué (30). Ce motif approprié est transféré vers la couche tampon (45), puis vers la couche à déphasage atténué (35) de manière à obtenir le masque réfléchissant à déphasage atténué (100). Des rayons sont réfléchis depuis le masque réfléchissant à déphasage atténué (100) vers la couche de photorésine afin de l'exposer avec le motif approprié.
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