Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2003018258 - PROCEDE DE POLISSAGE PAR CMP RAPIDE IMPLIQUANT LE MAINTIEN D'UN PH ELEVE A LA SURFACE DE LA PLAQUETTE

Numéro de publication WO/2003/018258
Date de publication 06.03.2003
N° de la demande internationale PCT/IB2002/003384
Date du dépôt international 21.08.2002
CIB
B24B 37/04 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
04conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 57/02 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
57Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage
02pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
H01L 21/302 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/306 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
B24B 37/0056
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
005Control means for lapping machines or devices
0056taking regard of the pH-value of lapping agents
B24B 37/04
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
B24B 57/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
57Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
02for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
H01L 21/02024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02002Preparing wafers
02005Preparing bulk and homogeneous wafers
02008Multistep processes
0201Specific process step
02024Mirror polishing
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • BLACK, Andrew, J.
  • DEEN, Allison
Mandataires
  • DUIJVESTIJN, Adrianus, J.
Données relatives à la priorité
09/943,71931.08.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SHORT CMP POLISH METHOD BY MAINTAINING A HIGH PH AT THE WAFER SUFACE
(FR) PROCEDE DE POLISSAGE PAR CMP RAPIDE IMPLIQUANT LE MAINTIEN D'UN PH ELEVE A LA SURFACE DE LA PLAQUETTE
Abrégé
(EN)
A short CMP polish process (600) is provided which removes minimal amounts of oxide and reduces defectivity at the surface of the wafer during short periods of rework by maintaining a high pH at the wafer surface in the presence of a high pH slurry. In one embodiment of the present inventions, the first platen (720) of a multi-platen CMP machine (705) is skipped for polishes of a short duration. In a second embodiment, a large amount of slurry is used to prime the second polish platen (730), thus displacing deionized water at the surface of the wafer which would ordinarily lower the initial pH of the process. Additionally, downforce may be minimized to reduce defectivity.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de polissage par CMP rapide (600) permettant d'enlever des quantités minimales d'oxyde et de réduire les défauts à la surface d'une plaquette pendant de courtes périodes de réusinage, en maintenant un pH élevé à la surface de la plaquette, en présence d'une boue à pH élevé. Dans un mode de réalisation de la présente invention, la première platine (720) d'une machine de CMP à plusieurs platines (705) est sautée pour des polissages de courte durée. Dans un second mode de réalisation de la présente invention, une grande quantité de boue est utilisée pour préparer la seconde platine (730), déplaçant alors l'eau désionisée à la surface de la plaquette qui abaisse généralement le pH initial du processus. On peut également minimiser la force descendante, afin de réduire les défauts.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international