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1. (WO2003017382) MODULE A SEMI-CONDUCTEUR EMETTEUR DE LUMIERE OU RECEPTEUR DE LUMIERE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/017382    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/006972
Date de publication : 27.02.2003 Date de dépôt international : 13.08.2001
CIB :
H01L 25/075 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/05 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/34 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/56 (2010.01), H01L 33/58 (2010.01)
Déposants : NAKATA, Josuke [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : NAKATA, Josuke; (JP)
Mandataire : OKAMURA, Toshio; Okamura Tokkyo Jimusyo 5-5, Nishitenma 4-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-0047 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) LIGHT−EMITTING OR LIGHT−RECEIVING SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF ITS MANUFACTURE
(FR) MODULE A SEMI-CONDUCTEUR EMETTEUR DE LUMIERE OU RECEPTEUR DE LUMIERE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor module (20) comprises twenty five semiconductor devices (10), for example, having photoelectric conversion function and arranged in a 5×5 matrix through an electrical connection mechanism comprising six connection leads (21−26), wherein the semiconductor devices (10) in each column are connected in series and the semiconductor devices (10) in each row are connected in parallel. Furthermore, a positive electrode terminal and a negative electrode terminal are buried in a light transmission member (28) of transparent synthetic resin and project to the outside. The semiconductor device (10) has a diffusion layer, a pn junction and one planar face on the surface of a spherical p−type semiconductor crystal, for example, wherein a positive electrode (6a) connected with the p−type semiconductor crystal and a negative electrode (6b) facing the positive electrode (6a) through the center are formed on the planar face.
(FR)L'invention se rapporte à un module à semi-conducteur (20) doté, par exemple, de 25 dispositifs semi-conducteurs (10) comprenant une fonction de conversion photoélectrique et disposés dans une matrice 5x5 grâce à un mécanisme de connexion électrique comportant six fils de connexion (21-26), les dispositifs à semi-conducteur (10) dans chaque colonne étant connectés en série et les dispositifs à semi-conducteur (10) dans chaque rangée étant connectés en parallèle. Outre cela, une borne d'électrode positive et une borne d'électrode négative sont dissimulées dans un élément de transmission de lumière (28) constitué d'une résine synthétique transparente et font saillie vers l'extérieur. Le dispositif à semi-conducteur (10) comprend une couche de diffusion, une jonction pn et une face plane à la surface d'un cristal semi-conducteur sphérique de type p, par exemple, une électrode positive (6a) connectée au cristal semi-conducteur de type p, et une électrode négative (6b) faisant face à l'électrode positive (6a) à travers le centre étant disposées sur la face plane.
États désignés : AU, CA, CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, IT, NL, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)