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1. (WO2003017357) PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE MINCE SEMICONDUCTRICE AUTO-PORTEE POUR CIRCUITS ELECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/017357    N° de la demande internationale :    PCT/FR2002/002879
Date de publication : 27.02.2003 Date de dépôt international : 14.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.02.2003    
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
RAYSSAC, Olivier [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
MAZURE, Carlos [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GHYSELEN, Bruno [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : RAYSSAC, Olivier; (FR).
MAZURE, Carlos; (FR).
GHYSELEN, Bruno; (FR)
Mandataire : BOMER, Françoise; Cabinet Regimbeau, Espace Performance - Bâtiment K, F-35769 Saint Grégoire Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
01/10813 14.08.2001 FR
Titre (EN) METHOD FOR OBTAINING A SELF-SUPPORTED SEMICONDUCTOR THIN FILM FOR ELECTRONIC CIRCUITS
(FR) PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE MINCE SEMICONDUCTRICE AUTO-PORTEE POUR CIRCUITS ELECTRONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method for obtaining a self-supported thin film made of a semiconductor material, supporting at least an electronic component and/or circuit (3) one of its surfaces, from a wafer (1) of said material, the latter including a front side (2), supporting or designed to support at least an electronic component and/or circuit (3) and a rear side (4'). Said method is characterised in that it comprises steps which consist in: a) implanting atomic species inside said wafer (1), from its rear side (4, 4'), so as to obtain a weakened zone (5) delimiting a front part (6) extending from said front side (2) to said weakened zone (5) and a rear part (7) formed by the rest of the wafer (1); d) removing said rear part (7), the front part (6); repeating, if required, steps a) and b) on the rear side of said front part (6) until the latter has the desired thickness for forming said self-supported thin film.
(FR)L'invention concerne un procédé d'obtention d'une couche mince auto-portée d'un matériau semi-conducteur, supportant au moins un composant et/ou circuit électronique (3) sur une de ses faces, à partir d'une plaquette (1) dudit matériau, celle-ci présentant une face avant (2), supportant ou destinée à supporter au moins un composant et/ou circuit électronique (3) et une face arrière (4'). Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes consistant à : a) implanter des espèces atomiques à l'intérieur de ladite plaquette (1), depuis sa face arrière (4, 4'), de façon à obtenir une zone de fragilisation (5) délimitant une partie avant (6) s'étendant de ladite face avant (2) à ladite zone de fragilisation (5) et une partie arrière (7) formée du reste de la plaquette (1), b) détacher ladite partie arrière (7), la partie avant (6), c) répéter, si nécessaire, les étapes a) et b) sur la face arrière de ladite partie avant (6) jusqu'à ce que celle-ci présente l'épaisseur désirée pour constituer ladite couche mince auto-portée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)