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1. (WO2003017318) REACTEUR AU PLASMA AVEC REPARTITION DE TENSION A FREQUENCE DOUBLE VARIABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/017318    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/026008
Date de publication : 27.02.2003 Date de dépôt international : 15.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.02.2003    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : BARNES, Michael, S.; (US).
HOLLAND, John; (US).
PATERSON, Alexander; (US).
TODOROV, Valentin; (US).
MOGHADAM, Farhad; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, L.L.P., Suite 1500, 3040 Post Oak Boulevard, Houston, TX 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
09/931,324 16.08.2001 US
Titre (EN) PLASMA REACTOR WITH ADJUSTABLE DUAL FREQUENCY VOLTAGE DIVISION
(FR) REACTEUR AU PLASMA AVEC REPARTITION DE TENSION A FREQUENCE DOUBLE VARIABLE
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus and method for processing a substrate are provided. The apparatus for processing a substrate comprises: a chamber having a first electrode; a substrate support disposed in the chamber and providing a second electrode; a high frequency power source electrically connected to either the first or the second electrode; a low frequency power source electrically connected to either the first or the second electrode; and a variable impedance element connected to one or more of the electrodes. The variable impedance element may be tuned to control a self bias voltage division between the first electrode and the second electrode. Embodiments of the invention substantially reduce erosion of the electrodes, maintain process uniformity, improve precision of the etch process for forming high aspect ratio sub-quarter-micron interconnect features, and provide an increased etch rate which reduces time and costs of production of integrated circuits.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif de traitement d'un substrat. Ledit dispositif est composé d'une chambre contenant un première électrode, d'un support de substrat disposé dans la chambre et présentant une deuxième électrode, d'une source de courant haute fréquence connectée électriquement à la première ou à la deuxième électrode, d'une source de courant basse fréquence connectée électriquement à la première ou à la deuxième électrode, et d'un élément d'impédance variable connecté à au moins une des électrodes. Ledit élément d'impédance variable peut être réglé de manière à commander une répartition de tension à polarisation automatique entre la première et la deuxième électrode. Dans certains modes de réalisation de la présente invention, lesdits dispositif et procédé permettent de réduire l'usure des électrodes, de maintenir l'uniformité du processus, d'améliorer la précision du processus de gravure de manière à obtenir des caractéristiques d'interconnexion à facteur de forme élevé avec une précision supérieure au quart de micron, et d'augmenter la vitesse de gravure de manière à réduire la durée et les coûts de production de circuits intégrés.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)