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1. (WO2003017285) MEMOIRE NON VOLATILE SUR SILICIUM SUR ISOLANT ET SUR SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS COMPOSES, ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/017285    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/021318
Date de publication : 27.02.2003 Date de dépôt international : 12.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.02.2003    
CIB :
G11C 16/04 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : MATRIX SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 3230 Scott Boulevard Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
WALKER, Andrew, J. [GB/US]; (US) (US Seulement).
JOHNSON, Mark, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
KNALL, N., Johan [SE/US]; (US) (US Seulement).
KOUZNETSOV, Igor, G. [RU/US]; (US) (US Seulement).
PETTI, Christopher, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WALKER, Andrew, J.; (US).
JOHNSON, Mark, G.; (US).
KNALL, N., Johan; (US).
KOUZNETSOV, Igor, G.; (US).
PETTI, Christopher, J.; (US)
Mandataire : WEGNER, Harold, C.; Foley & Lardner, Washington Harbour, Suite 500, 3000 K Street, N.W., Washington, DC 20007-5109 (US)
Données relatives à la priorité :
09/927,642 13.08.2001 US
Titre (EN) NONVOLATILE MEMORY ON SOI AND COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND METHODS OF FABRICATION
(FR) MEMOIRE NON VOLATILE SUR SILICIUM SUR ISOLANT ET SUR SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS COMPOSES, ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A nonvolatile memory array is provided. The array includes an array of nonvolatile memory devices, at least one driver circuit (2), and a substrate (3). The at least one driver circuit (2) is not located in a bulk monocrystalline silicon substrate (7). The at least one driver circuit may be located in a silicon on insulator substrate (3) or in a compound substrate.
(FR)L'invention concerne une matrice mémoire non volatile. Cette matrice comprend une réseau de dispositifs de mémoire non volatile, au moins un circuit d'attaque (2), et un substrat (3). Ledit circuit d'attaque (2) n'est pas implanté sur un substrat (7) de silicium monocristallin non épitaxié mais peut être implanté sur un substrat (3) de silicium isolant ou sur un substrat semi-conducteur composé
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)