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1. (WO2003017005) DETECTEUR D'ENERGIE STABLE CONÇU POUR DETECTER DES RAYONNEMENTS ULTRAVIOLETS EXTREMES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/017005    N° de la demande internationale :    PCT/EP2002/009073
Date de publication : 27.02.2003 Date de dépôt international : 13.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.03.2003    
CIB :
G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : LAMBDA PHYSIK AG [DE/DE]; Hans-Böckler-Strasse 12, 37079 Göttingen (DE) (Tous Sauf US).
SCHRIEVER, Guido [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHRIEVER, Guido; (DE)
Mandataire : VON HELLFELD, Axel; Wuesthoff & Wuesthoff, Schweigerstr. 2, 81541 München (DE)
Données relatives à la priorité :
60/312,277 13.08.2001 US
Titre (EN) STABLE ENERGY DETECTOR FOR EXTREME ULTRAVIOLET RADIATION DETECTION
(FR) DETECTEUR D'ENERGIE STABLE CONÇU POUR DETECTER DES RAYONNEMENTS ULTRAVIOLETS EXTREMES
Abrégé : front page image
(EN)A detector for use with an EUV photon source emitting around 11-15 nm includes at least one multilayer mirror for reflecting the beam along an optical path including a detector element, a filter for reducing the bandwidth of the beam, and the detector element. The detector element preferably comprises Si pn diodes with doped dead region and zero surface recombination or a PtSi-nSi barrier for increasing the long term stability of the detector.
(FR)L'invention concerne un détecteur, utilisé avec une source à photons ultraviolets extrêmes (EUV) émettant autour de 11 à 15 nm, qui comprend au moins un miroir multicouche conçu pour réfléchir le faisceau le long d'un chemin optique comprenant un élément détecteur, un filtre destiné à réduire la largeur de bande du faisceau, et l'élément détecteur. Ce dernier comprend, de préférence, des diodes Si n-p à zone morte dopée et recombinaison de surface nulle ou une barrière PtSi-nSi pour accroître la stabilité de longue durée du détecteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)