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1. (WO2003016598) CROISSANCE EN COURONNE PAR TIRAGE CZOCHRALSKI A PARTIR D'UN SILICIUM MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/016598    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/024961
Date de publication : 27.02.2003 Date de dépôt international : 08.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.03.2003    
CIB :
C30B 15/00 (2006.01)
Déposants : MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 8, 501 Pearl Drive, St. Peters, MO 63376 (US)
Inventeurs : JAVIDI, Massoud; (US)
Mandataire : ALLEN, Derick, E.; One Metropolitan Square, Suite 1600, St. Louis, MO 63102 (US)
Données relatives à la priorité :
60/312,573 15.08.2001 US
Titre (EN) CONTROLLED CROWN GROWTH PROCESS FOR CZOCHRALSKI SINGLE CRYSTAL SILICON
(FR) CROISSANCE EN COURONNE PAR TIRAGE CZOCHRALSKI A PARTIR D'UN SILICIUM MONOCRISTALLIN
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a process for preparing a single crystal silicon ingot wherein controlled growth of the crown or taper is used to establish a desired vacancy-interstitial boundary position in the main body of the ingot early in the growth process, such that the overall yield of the desired type of silicon is increased. Controlled growth is achieved in a first embodiment by actually increasing the pull rate during growth of the crown or taper, prior to the roll or growth of the shoulder of the ingot.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation d'un lingot de silicium monocristallin dans lequel la croissance contrôlée de la couronne ou cône est utilisée pour établir une position limite intersticielle vide désirée dans le corps principal du lingot dès le début du processus de croissance, ce qui augmente le rendement global du type de silicium désiré. La croissance contrôlée est réalisée, dans une première forme de réalisation, par l'augmentation effective du taux de tirage pendant la croissance de la couronne ou cône avant l'enroulement ou la croissance de l'épaulement du lingot.
États désignés : CN, JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)