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1. (WO2003016588) PROCEDE POUR PRODUIRE UN FILM DE TUNGSTENE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/016588    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/008086
Date de publication : 27.02.2003 Date de dépôt international : 07.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.05.2003    
CIB :
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/14 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
OKUBO, Kazuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TACHIBANA, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FANG, Cheng [CN/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATOH, Kohichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIZUKA, Hotaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKUBO, Kazuya; (JP).
TACHIBANA, Mitsuhiro; (JP).
FANG, Cheng; (JP).
SUZUKI, Kenji; (JP).
SATOH, Kohichi; (JP).
ISHIZUKA, Hotaka; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-246089 14.08.2001 JP
2001-317175 15.10.2001 JP
Titre (EN) METHOD OF FORMING TUNGSTEN FILM
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UN FILM DE TUNGSTENE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a tungsten film, capable of restricting voids and volcanoes as large as adversely affecting characteristics despite the small diameter of a buried hole, and providing good burying characteristics. When forming a tungsten film on the surface of an object of treating (W) in a vacuumizing−enabled treating vessel (22), a reduction gas supplying process (70) and a tungsten gas supplying process (72) for supplying a tungsten−containing gas are alternately repeated with a purge process (74), for supplying an inert gas while vacuumizing, intervened therebetween to thereby form an initial tungsten film (76). Therefore, an initial tungsten film can be formed as a nucleation layer high in film thickness uniformity; and, accordingly, when main tungsten films are subsequently deposited, it is possible to restrict voids and volcanoes as large as adversely affecting characteristics despite the small diameter of a buried hole, and provide good burying characteristics.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour produire un film en tungstène en limitant les vides et les protubérances sans modifier négativement les caractéristiques malgré le petit diamètre d'un trou enfoui et en conférant de bonnes caractéristiques d'enfouissement. Lors de la production d'un film de tungstène à la surface d'un objet à traiter (W) dans une enceinte de traitement (22) pouvant être mise sous vide, un procédé (70) d'alimentation en gaz de réduction et un procédé (72) d'alimentation en gaz contenant du tungstène sont répétés alternativement, un procédé d'évacuation (74) permettant de fournir un gaz inerte lors de la mise sous vide étant mis en oeuvre entre ces deux procédés, afin de former un film de tungstène initial (76). On peut ainsi produire un film de tungstène initial se présentant sous forme de couche de nucléation d'épaisseur très homogène. Lorsque les films de tungstène principaux font ensuite l'objet d'un dépôt, il est possible de limiter les vides et les protubérances sans modifier négativement les caractéristiques malgré le petit diamètre d'un trou enfoui et de conférer de bonnes caractéristiques d'enfouissement.
États désignés : KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)