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1. (WO2003016419) FEUILLE ADHESIVE DE DECOUPAGE EN PUCES ET PROCEDE DE DECOUPAGE EN PUCES ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/016419    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/007914
Date de publication : 27.02.2003 Date de dépôt international : 02.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.11.2002    
CIB :
C09J 7/02 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-1-2, Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka 567-8680 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Syouji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Syouji; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Takao; 1-20, Nishinakajma 7-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 532-0011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-243684 10.08.2001 JP
Titre (EN) DICING ADHESIVE SHEET AND DICING METHOD
(FR) FEUILLE ADHESIVE DE DECOUPAGE EN PUCES ET PROCEDE DE DECOUPAGE EN PUCES ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)A dicing adhesive sheet having a base film and an adhesive layer formed on the base film is characterized in that the thickness of the adhesive layer ranges from 1 to 10 µm and the adhesive layer has an application temperature such that the adhesion measured when 180 °C peeling at 23 °C of the dicing sheet is conducted (the peeling speed is 300 mm/min) after it is applied to a silicon mirror wafer is 10 N/25 mm or more. In a dicing method using such a dicing adhesive sheet, the production yield of a diced body such as a semiconductor wafer is high, and chipping during the dicing is prevented.
(FR)L'invention concerne une feuille adhésive de découpage en puces pourvue d'un film de base sur lequel est formée une couche adhésive. Ladite feuille adhésive se caractérise en ce que l'épaisseur de la couche adhésive se situe entre 1 et 10 $g(m)m, ladite couche adhésive ayant une température d'application de façon que l'adhésion mesurée, lorsque l'écaillage à 180 ° de la feuille de découpage en puces à une température de 23 °C est effectué (la vitesse d'écaillage est de 300 mm/mn) après son application à une plaquette de silicium polie, est d'au moins 10 N/25 mm. Dans un tel procédé faisant appel à une feuille adhésive de découpage en puces, le rendement de production d'un corps découpé en puces, par exemple une plaquette à semi-conducteur, est élevé, et l'écaillage lors du découpage en puces est évité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)