Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2003015182) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A MOULURE ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A MOULURE

Pub. No.:    WO/2003/015182    International Application No.:    PCT/DE2002/002760
Publication Date: 20 févr. 2003 International Filing Date: 26 juil. 2002
IPC: H01L 21/336
H01L 29/786
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG
HOFMANN, Franz
KRETZ, Johannes
ROESNER, Wolfgang
SCHULZ, Thomas
Inventors: HOFMANN, Franz
KRETZ, Johannes
ROESNER, Wolfgang
SCHULZ, Thomas
Title: TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A MOULURE ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A MOULURE
Abstract:
La présente invention concerne un transistor à effet de champ à moulure qui présente un substrat, une moulure, située sur ledit substrat, et une région de drain et une région de source, situées à l'extérieur de la moulure, sur ledit substrat. Ladite moulure sert de canal entre la région de source et la région de drain. La région de source et la région de drain ne sont produites qu'après formation de la grille.