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1. (WO2003015170) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/015170    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/005793
Date de publication : 20.02.2003 Date de dépôt international : 11.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.06.2002    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-6334 (JP) (Tous Sauf US).
FUJIWARA, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAZUMI, Saigou [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WAKI, Hiromichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUJIWARA, Tetsuo; (JP).
YAMAZUMI, Saigou; (JP).
WAKI, Hiromichi; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F, Azeria Bldg., 1-1, Nishi-shinjuku 8-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-239711 07.08.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)The oxygen barrier properties of a lower electrode of an FeRAM memory cell is improved, the yield of the memory cell is thereby improved, and the characteristics of the memory cell is also improved. A Pt (platinum) film to serve as a lower electrode (10a) of a capacitor (C) of an FeRAM memory cell is deposited on a barrier layer (B1a) made of an alloy of Al (aluminum) and Ir (iridium). An annealing treatment (heat treatment) at 500 to 700 °C in an oxygen−containing atmosphere is conducted after the Pt film deposition. As a result, Al2O3 (aluminum oxide) is formed at the grain boundaries of Pt crystals in the Pt film composed of crystal grains. Therefore, ever if, e.g., an annealing treatment in an oxygen atmosphere is conducted thereafter for crystallizing the PZP film to serve as a capacitor insulating film (11a), oxygen is prevented from entering the lower electrode (10a), the barrier layer (B1a) under the lower electrode (10a), and a plug (P1) underlying the barrier layer.
(FR)La présente invention concerne une amélioration apportée aux propriétés de barrière à l'oxygène d'une électrode inférieure d'une cellule mémoire FeRAM, ce qui permet d'améliorer le rendement de la cellule mémoire, ainsi que les caractéristiques de celle-ci. Un film de Pt (platine) servant d'électrode inférieure (10a) d'un condensateur (C) d'une cellule mémoire FeRAM est déposé sur une couche barrière (B1a) constituée d'un alliage d'Al (aluminium) et d'Ir (iridium). Un traitement de recuit (traitement thermique) à 500 à 700°C sous une atmosphère contenant de l'oxygène est réalisé après le dépôt du film de Pt. Il se forme ainsi du Al¿2?O¿3? (oxyde d'aluminium) aux joints de grain des cristaux dans le film de Pt constitué de grains cristallins. Ainsi, même si par exemple un traitement de recuit est réalisé ensuite sous une atmosphère d'oxygène afin de cristalliser le film de PZP pour servir de film d'isolation de condensateur (11a), l'oxygène ne peut pas pénétrer l'électrode inférieure (10a), la couche barrière (B1a) sous l'électrode inférieure (10a) et une fiche (P1) située en dessous de la couche barrière.
États désignés : CN, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)