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1. (WO2003015142) FORMATION DE COUCHES PLANES SOUMISES A DES CONTRAINTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/015142    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/024594
Date de publication : 20.02.2003 Date de dépôt international : 02.08.2002
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01)
Déposants : MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY [US/US]; 77 Massachusetts Avenue, Cambridge, MA 02139 (US)
Inventeurs : LEE, Minjoo, L.; (US).
LEITZ, Christopher, W.; (US).
FITZGERALD, Eugene, A.; (US)
Mandataire : US, Natasha, C.; Testa, Hurwitz & Thibeault, LLP, High Street Tower, 125 High Street, Boston, MA 02110 (US)
Données relatives à la priorité :
60/310,346 06.08.2001 US
Titre (EN) FORMATION OF PLANAR STRAINED LAYERS
(FR) FORMATION DE COUCHES PLANES SOUMISES A DES CONTRAINTES
Abrégé : front page image
(EN)A structure and a method for forming the structure, the method including forming a compressively strained semiconductor layer, the compressively strained layer having a strain greater than or equal to 0.25%. A tensilely strained semiconductor layer is formed over the compressively strained layer. The compressively strained layer is substantially planar, having a surface roughness characterized in (I) having an average wavelength greater than an average wavelength of a carrier in the compressively strained layer or (ii) having an average height less than 10nm.
(FR)L'invention concerne une structure et un procédé de formation de la structure consistant à former une couche semi-conductrice chargée par compression, la couche ainsi chargée ayant une déformation supérieure ou égale à 0,25 %. Une couche semi-conductrice soumise à une contrainte d'extension est formée sur la couche chargée par compression. La couche chargée par compression est sensiblement plane et présente une rugosité en surface caractérisée (i) en ce qu'elle présente une longueur d'onde moyenne, supérieure à une longueur d'onde moyenne d'un support dans la couche chargée par compression, ou (ii) en ce qu'elle présente une hauteur moyenne inférieure à 10 nm.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)