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1. (WO2003015135) PROCEDE POUR FABRIQUER UN MASQUE STENCIL A MEMBRANE MINCE ET PROCEDE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR COMPORTANT CE MASQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/015135    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/024164
Date de publication : 20.02.2003 Date de dépôt international : 23.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.03.2003    
CIB :
G03F 1/20 (2012.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : MANGAT, Pawitter; (US).
MOGAB, Joe; (US).
SMITH, Kenneth, H.; (US).
WASSON, James, R.; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; Corporate Law Department, Intellectual Property Section, 7700 West Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
09/927,024 09.08.2001 US
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING A THIN-MEMBRANE STENCIL MASK AND METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
(FR) PROCEDE POUR FABRIQUER UN MASQUE STENCIL A MEMBRANE MINCE ET PROCEDE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR COMPORTANT CE MASQUE
Abrégé : front page image
(EN)A stencil mask (12 or 12) has both a thin membrane layer (106) and a stress controlled layer (104) for enabling electron and ion projection lithography at very small geometries. The thin membrane layer (106) is within a range of substantially forty to two hundred nanometers and is preferably silicon nitride, and the stress controlled layer is preferably a metal or a metal alloy. Annealing of the stress controlled layer (104) may be performed to obtain a desired stress characteristic. Semiconductors are made using the mask by projecting radiation through the thin membrane stencil mask and reduction optics (30) onto resist (44) formed on a plurality of die, the radiation forming a contrast image on the resist that is subsequently developed. Commercially available lithography equipment is compatible with the thin stencil mask.
(FR)L'invention concerne un masque stencil (12 or 12) comportant à la fois une couche membranaire mince (106) et une couche de contrôle de stress (104) pour la lithographie par projection d'électrons et d'ions à très petites géométries. La couche membranaire mince (106), dont l'épaisseur se situe dans une fourchette entre quarante et deux cents nanomètres, est de préférence en nitrure de silicium, et la couche de contrôle de stress est de préférence en métal ou en alliage métallique. Cette couche de contrôle de stress (104) peut être recuite pour obtenir une caractéristique de stress donnée. Ledit masque est utilisé dans la production de semiconducteurs par projection de rayons à travers la membrane mince et un dispositif optique de réduction (30) vers une réserve (44) façonnée sur une pluralité de filières, le rayonnement formant une image de contraste sur la réserve développée subséquemment. Les équipements de lithographie du commerce sont compatibles avec ledit masque stencil mince.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)