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1. (WO2003014409) CIBLE DE PULVERISATION, FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/014409    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/006888
Date de publication : 20.02.2003 Date de dépôt international : 08.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.01.2003    
CIB :
C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8321 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUZAKI, Shigeo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Kazuyoshi; (JP).
MATSUZAKI, Shigeo; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kihei; Daiichi NS Bldg., 5th Floor, 32, Kanda Suda-cho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-235022 02.08.2001 JP
2001-296089 27.09.2001 JP
2001-297159 27.09.2001 JP
Titre (EN) SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND THEIR MANUFACTURING METHOD
(FR) CIBLE DE PULVERISATION, FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A sputtering target composed of indium oxide and zinc oxide. The content of zinc atoms ranges from 3 to 20 atom% based on the total of indium atoms and zinc atoms. The maximum particle diameter of the crystals in the sputtering target is 5 µm ore less. Few nodules are produced on the surface of the target while a transparent conductive film is formed by sputtering, and therefore the sputtering is conducted stably.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation constituée d'un oxyde d'indium et d'un oxyde de zinc. La proportion d'atomes de zinc est comprise entre 3 et 30% at. sur la base du total d'atomes d'indium et d'atomes de zinc. Le diamètre maximal des particules des cristaux dans la cible de pulvérisation est inférieur ou égal à 5 $g(m)m. Une quantité réduite de nodules apparaissent sur la surface de la cible pendant la formation par pulvérisation de ce film conducteur transparent. Par conséquent, la pulvérisation s'opère de manière stable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)