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1. (WO2003014019) SILICIUM METALLURGIQUE DE HAUTE PURETE ET PROCEDE D'ELABORATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/014019    N° de la demande internationale :    PCT/FR2002/002602
Date de publication : 20.02.2003 Date de dépôt international : 22.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.01.2003    
CIB :
C01B 33/037 (2006.01)
Déposants : INVENSIL [FR/FR]; 235, avenue Alsace Lorraine, F-73000 Chambéry (FR) (Tous Sauf US).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, rue Michel Ange, F-75794 Paris Cedex 16 (FR) (Tous Sauf US).
BALUAIS, Gérard [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
CARATINI, Yves [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
DELANNOY, Yves [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
TRASSY, Christian [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BALUAIS, Gérard; (FR).
CARATINI, Yves; (FR).
DELANNOY, Yves; (FR).
TRASSY, Christian; (FR)
Mandataire : MOUGEOT, Jean-Claude; Pechiney, 217, Cours Lafayette, F-69451 Lyon 06 (FR)
Données relatives à la priorité :
01/09788 23.07.2001 FR
Titre (EN) HIGH PURITY METALLURGICAL SILICON AND METHOD FOR PREPARING SAME
(FR) SILICIUM METALLURGIQUE DE HAUTE PURETE ET PROCEDE D'ELABORATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a silicon designed in particular for making solar cells containing a total of impurities ranging between 100 and 400 ppm, a boron content ranging between 0.5 and 3 ppm, a phosphorus/boron content ratio ranging between 1 and 3, and a content of metal elements ranging between 30 and 300 ppm. The invention also concerns a method for making such a silicon from an oxygen- or chorine-refined metallurgical silicon containing at least 500 ppm of metal elements, and comprising: refusion under neutral atmosphere of the refined silicon, in an electric furnace equipped with a hot crucible; transferring the molten silicon, to provide a plasma refining, in an electric furnace equipped with a hot crucible; plasma refining with as plasma-forming gas a mixture of argon and of at least a gas belonging the group consisting of chlorine, fluorine, HCI and HF; casting under controlled atmosphere in an ingot mould wherein is produced segregated solidification.
(FR)L'invention a pour objet un silicium destiné notamment à la fabrication de cellules solaires contenant un total d'impuretés compris entre 100 et 400 ppm, une teneur en bore comprise entre 0,5 et 3 ppm, un rapport entre teneur en phosphore et bore compris entre 1 et 3, et une teneur en éléments métalliques comprise entre 30 et 300 ppm. L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un silicium de cette qualité à partir d'un silicium métallurgique affiné à l'oxygène ou au chlore et contenant moins de 500 ppm d'éléments métalliques, et comportant : - la refusion sous atmosphère neutre du silicium affiné, au four électrique équipé d'un creuset chaud, - le transfert du silicium fondu, pour réaliser un affinage sous plasma, dans un four électrique équipé d'un creuset chaud, - l'affinage sous plasma avec comme gaz plasmagène un mélange d'argon et d'au moins un gaz appartenant au groupe constitué par le chlore, le fluor, HCI et HF, - la coulée sous atmosphère contrôlée dans une lingotière ou est réalisée une solidification ségrégée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)