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1. (WO2003012881) DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE MUNI D'UNE PARTIE A PUITS QUANTIQUE MULTIPLE INGAAS/INGAP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/012881    N° de la demande internationale :    PCT/GB2002/003378
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 24.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.01.2003    
CIB :
H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01), H01L 31/075 (2012.01)
Déposants : IMPERIAL COLLEGE INNOVATIONS LIMITED [GB/GB]; Sherfield Building, Imperial College, London SW7 2AZ (GB) (Tous Sauf US).
ROHR, Carsten [DE/GB]; (GB) (US Seulement).
BARNHAM, Keith, William, John [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
EKINS-DAUKES, Nicholas [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
CONNOLLY, James, P. [IE/GB]; (GB) (US Seulement).
BALLARD, Ian, M. [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
MAZZER, Massimo [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : ROHR, Carsten; (GB).
BARNHAM, Keith, William, John; (GB).
EKINS-DAUKES, Nicholas; (GB).
CONNOLLY, James, P.; (GB).
BALLARD, Ian, M.; (GB).
MAZZER, Massimo; (IT)
Mandataire : ROBINSON, Nigel, Alexander, Julian; D Young & Co., 21 New Fetter Lane, London EC4A 1DA (GB)
Données relatives à la priorité :
0118150.2 25.07.2001 GB
09/955,297 19.09.2001 US
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE HAVING AN INGAAS/INGAP MULTIPLE QUANTUM WELL PORTION
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAIQUE MUNI D'UNE PARTIE A PUITS QUANTIQUE MULTIPLE INGAAS/INGAP
Abrégé : front page image
(EN)A photovoltaic cell to convert low energy photons is described, consisting of a p-i-n diode with a strain-balanced multi-quantum-well system incorporated in the intrinsic region. The bandgap of the quantum wells is lower than that of the lattice-matched material, while the barriers have a much higher bandgap. Hence the absorption can be extended to longer wavelengths, while maintaining a low dark current as a result of the higher barriers. This leads to greatly improved conversion efficiencies, particularly for low energy photons from low temperature sources. This can be achieved by strain-balancing the quantum wells and barriers, where each individual layer is below the critical thickness and the strain is compensated by quantum wells and barriers being strained in opposite directions minimising the stress. The absorption can be further extended to longer wavelengths by introducing a strain-relaxed layer (virtual substrate) between the substrate and the active cell.
(FR)Cellule photovoltaïque destinée à convertir les protons à énergie faible, constituée d'une diode p-i-n avec un système à puits quantiques multiples à tension mécanique équilibrée, qui est intégré à la région intrinsèque. La largeur de bande interdite du système à puits quantiques est inférieure à celle du matériau à réseau apparié tandis que les barrières ont une largeur de bande interdite beaucoup plus importante. De cette manière, on peut étendre l'absorption à des longueurs d'ondes plus importantes tout en maintenant un faible courant d'obscurité grâce aux barrières plus élevées. Cela mène à une bien meilleure efficacité de conversion, notamment en ce qui concerne les photons à faible énergie provenant de sources à basse température. On obtient ce résultat en équilibrant la tension mécanique des puits quantiques et des barrières, chaque couche individuelle se trouvant en dessous de l'épaisseur critique, et la tension mécanique est compensée par l'application de la contrainte aux puits quantiques et aux barrières dans des directions opposées de façon à minimiser le stress. L'absorption peut aussi être étendue à des longueurs d'ondes plus importantes grâce à l'introduction d'une couche à contraintes affaiblies (substrat virtuel) entre le substrat et la cellule active.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)