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1. (WO2003012875) PROCEDE DE CREATION ARTIFICIELLE D'UNE ZONE INTERDITE DANS DES MATERIAUX CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/012875    N° de la demande internationale :    PCT/PL2001/000067
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 02.08.2001
CIB :
H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : KAZHAYEU, Uladzimir [BY/PL]; (PL).
KUBIK, Adam [PL/PL]; (PL) (US Seulement).
KORDECKI, Kazimierz [PL/PL]; (PL) (US Seulement)
Inventeurs : KAZHAYEU, Uladzimir; (PL).
KUBIK, Adam; (PL).
KORDECKI, Kazimierz; (PL)
Mandataire : KUBIK, Adam; ul. Piastowska 23 m.6 PL-17-207 Bialystok (PL)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF ARTIFICIAL CREATION OF FORBIDDEN ZONE IN CONDUCTOR MATERIALS
(FR) PROCEDE DE CREATION ARTIFICIELLE D'UNE ZONE INTERDITE DANS DES MATERIAUX CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Method of artificial creation forbidden zone in conductor materials and the keeping back valency electrons in conductor materials zone. The possible power states of electron, which is moving in limited part of space.
(FR)Procédé de création artificielle d'une zone interdite dans des matériaux conducteurs et de conservation d'électrons de valence dans ladite zone. Ce procédé permet de déterminer les états énergétiques éventuels de l'électron se déplaçant dans une partie limitée de l'espace.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)