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1. (WO2003012874) DISPOSITIFS DE TRANSFERT DE CHARGE ELECTROACOUSTIQUES ET SEMICONDUCTEURS-PIEZOELECTRIQUES MONOLITHIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/012874    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/014739
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 08.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.02.2003    
CIB :
H01L 27/20 (2006.01), H01L 41/22 (2013.01), H03H 9/02 (2006.01), H03H 9/05 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : HIGGINS, Robert, J.; (US).
CORNETT, Kenneth, D.; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; Motorola Labs, 3102 North 56th Street, AZ11/56-238, Phoenix, AZ 85018-6606 (US)
Données relatives à la priorité :
09/911,496 25.07.2001 US
Titre (EN) MONOLITHIC SEMICONDUCTOR-PIEZOELECTRIC AND ELECTRO-ACOUSTIC CHARGE TRANSPORT DEVICES
(FR) DISPOSITIFS DE TRANSFERT DE CHARGE ELECTROACOUSTIQUES ET SEMICONDUCTEURS-PIEZOELECTRIQUES MONOLITHIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An epitaxial layer of crystalline piezoelectric material such as lithium niobate and lithium tantalate can be grown overlying a silicon wafer by first growing an intermediate strain-relief layer on the silicon wafer. Early in the growth of the piezoelectric layer, the strain-relief layer is a crystalline metal oxide, which helps bridge the lattice mismatch between silicon and the piezoelectric material. After growth of a thin crystalline piezoelectric layer, the strain-relief layer is amorphized to decouple the silicon and piezoelectric crystal lattices. Growth of the piezoelectric layer may then be resumed to obtain a good quality thicker layer suitable for electro-acoustic device fabrication. Passive and active electro-acoustic devices may be fabricated using the epitaxial piezoelectric layer. In particular, acoustic charge transport devices that utilize device elements in both silicon and the piezoelectric epitaxial overlayer are designed and fabricated. The electro-acoustic devices may be integrated with semiconductor device circuitry fabricated on the silicon wafer.
(FR)L'invention concerne une couche épitaxiale de matériau piézoélectrique cristallin (530) tel que le niobate de lithium et le tantalate de lithium. Cette couche peut être formée sur une tranche de silicium par développement initial d'une couche réductrice de contrainte intermédiaire (522) sur la tranche de silicium. Au début de la croissance de la couche piézoélectrique, la couche réductrice de contrainte est un oxyde de métal cristallin contribuant à compenser par pontage le mésappariement réseau entre le silicium et le matériau piézoélectrique. Après la croissance d'une fine couche piézoélectrique cristalline (520), la couche réductrice de contrainte est amorphisée en vue d'un découplage du silicium et des réseaux cristallins piézoélectriques. Le développement de la couche piézoélectrique peut alors être repris en vue d'obtenir une couche plus épaisse de bonne qualité adaptée à la fabrication de dispositifs électroacoustiques. Des dispositifs électroacoustiques passifs (511) et actifs (512) peuvent être fabriqués au moyen de cette couche piézoélectrique épitaxiale. Plus particulièrement, on peut concevoir et fabriquer des dispositifs de transfert de charge acoustiques utilisant des éléments de dispositifs dans le silicium (510) et la surcouche épitaxiale piézoélectrique (512). Ces dispositifs électroacoustiques peuvent être intégrés avec des circuits de dispositifs à semiconducteurs fabriqués sur la tranche de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)