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1. (WO2003012873) PROCEDE DE FABRICATION DE PLAQUETTES SOI ET GABARIT DE SEPARATION DE PLAQUETTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/012873    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/007472
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 24.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.12.2002    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (Tous Sauf US).
AGA, Hiroji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MITANI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : AGA, Hiroji; (JP).
TAKAHASHI, Hiroyuki; (JP).
MITANI, Kiyoshi; (JP)
Mandataire : SUGAWARA, Seirin; Sakae Yamakichi Bldg., 9-30, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 460-0008 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-231043 31.07.2001 JP
Titre (EN) SOI WAFER PRODUCING METHOD, AND WAFER SEPARATING JIG
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE PLAQUETTES SOI ET GABARIT DE SEPARATION DE PLAQUETTES
Abrégé : front page image
(EN)In an SOI wafer producing process according to the Smart Cut process, using a wafer separating jig (1), a laminated body (34) of SOI wafers (39)and the remaining wafers (38)is separated into individual wafers. The wafer separating jig (1) comprises a support surface (1p) supporting the laminated body (34) in the direction of its thickness, and a level difference portion (2) on the support surface (1p) adapted to prevent slide movement of a lower wafer in the laminated body (34) and adjusted in height to allow slide movement of an upper wafer with respect to the lower wafer. The laminated body (34) is placed on the support surface (1p) and tilted, causing the upper wafer to slide under own weight relative to the lower wafer in the in−plane direction, thereby separating them from each other. According to this method, the wafers can be prevented from rubbing against each other, with no scratch made on the wafer surface.
(FR)Selon l'invention, dans un procédé de fabrication de plaquettes SOI conformément au procédé Smart Cut, mettant en oeuvre un gabarit de séparation de plaquettes (1), un corps stratifié (34) de plaquettes SOI (39) et les plaquettes restantes (38) sont séparés en plaquettes individuelles. Le gabarit de séparation de plaquettes (1) comprend une surface de support (1p) supportant le corps stratifié (34) dans le sens de l'épaisseur et une partie de différence de niveau (2) sur la surface de support (1p) conçue pour empêcher un mouvement de glissement d'une plaquette inférieure dans le corps stratifié (34) et adaptée en hauteur, de manière à permettre un mouvement de glissement d'une plaquette supérieure par rapport à la plaquette inférieure. Le corps stratifié (34) est placé sur la surface de support (1p) et incliné de manière à entraîner le glissement de la plaquette supérieure sous l'effet de son propre poids par rapport à la plaquette inférieure dans une direction dans le plan, séparant ainsi les plaquettes l'une de l'autre. Grâce à ce procédé, les plaquettes ne se frottent plus l'une contre l'autre et la surface de la plaquette ne présente aucune griffure.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)