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1. (WO2003012847) PROCEDE DE SURVEILLANCE D'UN APPAREIL DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE COMMANDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/012847    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/007858
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 01.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.12.2002    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
TOMOYASU, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TOMOYASU, Masayuki; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-233438 01.08.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PRODUCTION APPARATUS MONITORING METHOD AND CONTROL METHOD
(FR) PROCEDE DE SURVEILLANCE D'UN APPAREIL DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE DE COMMANDE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor production apparatus monitoring/control method includes a step of etching a test wafer (W) by using a plasma treatment apparatus (10), a step of deciding whether the treated test wafer (W) satisfies an expected structure, a step of creating a fluctuation allowance group including sensed data of a plurality of sensors when the expected structure is satisfied as allowance sensing data, and a step of monitoring/controlling the plasma treatment apparatus (10) according to the fluctuation allowance group.
(FR)Un procédé de commande/surveillance d'un appareil de production de semi-conducteurs comprend une étape de gravure d'une plaquette de test (W) au moyen d'un appareil (10) de traitement par plasma, une étape de décision dans laquelle il est décidé si la plaquette de test? ¿(W) traitée correspond à une structure escomptée, une étape de création d'un groupe de tolérance de fluctuation comprenant des données détectées provenant d'une pluralité de capteurs lorsque la structure attendue correspond en termes de données de détection de tolérance et une étape de surveillance/commande de l'appareil (10) de traitement par plasma effectuée en accord avec le groupe de tolérance de fluctuation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)