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1. (WO2003012845) DISPOSITIF ET PROCEDE DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/012845    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/007821
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 31.07.2002
CIB :
C23C 14/56 (2006.01), C23C 14/58 (2006.01), C23C 18/16 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050, Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
DIEHL, Daniel Lee [US/JP]; (JP) (US Seulement).
OWADA, Nobuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOGASHI, Yuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAMOTO, Keiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AITANI, Terukazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOTO, Kyoji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : DIEHL, Daniel Lee; (JP).
OWADA, Nobuo; (JP).
TOGASHI, Yuki; (JP).
MIYAMOTO, Keiji; (JP).
AITANI, Terukazu; (JP).
GOTO, Kyoji; (JP)
Mandataire : ANZAI, Yoshiaki; Sky Palace Building #604, 1-29-7, Takadanobaba, Shinjuku-ku, Tokyo 169-0075 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-268038 31.07.2001 JP
2001-232960 31.07.2001 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR FABRICATION DEVICE AND SEMICONDUCTOR FABRICATION METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Annealing is performed after forming a seed film by a physical vapor deposition (PVD) method in order to satisfactorily form a seed film and a wiring metal thin film that constitute a dual damascene structure in a semiconductor device, and then a wiring metal thin film is formed by an electrochemical plating (ECP) method. A PVD system provided with a quick-heat-treating anneal chamber and an ECP system provided with a quick-heat-treating anneal chamber are provided for the above purposes.
(FR)Selon l'invention, un recuit est réalisé après formation d'une couche de semence par un procédé de dépôt physique en phase vapeur (PVD), de sorte à former de manière satisfaisante une couche de semence et une couche mince métallique de câblage constituant une structure double damascène dans un dispositif semiconducteur. La couche mince métallique de câblage est ensuite formée par un procédé de dépôt électro-chimique (ECP). L'invention concerne également un système de PVD comprenant une chambre de recuit de traitement à réchauffement rapide et un système d'ECP comprenant une chambre de recuit de traitement à réchauffement rapide qui permettent de mettre en oeuvre le procédé selon l'invention.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)