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1. (WO2003012838) PROCEDE D'ATTAQUE DE COUCHES CONDUCTRICES POUR CONDENSATEUR ET FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/012838    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/024350
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 31.07.2002
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 BOWERS AVENUE SANTA CLARA, CA 95054 (US)
Inventeurs : YAMAUCHI, Hideyuki; (JP).
TSUTSUMI, Kouji; (JP).
KAWASE, Yohei; (JP)
Mandataire : PATTERSON, Todd, B.; 3040 Post Oak Boulevard Suite 1500 Houston, TX 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
2001-232521 31.07.2001 JP
Titre (EN) METHOD OF ETCHING CONDUCTIVE LAYERS FOR CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION
(FR) PROCEDE D'ATTAQUE DE COUCHES CONDUCTRICES POUR CONDENSATEUR ET FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method of etching a multi-layer film, wherein the multi-layer film comprises at least one conductive layer and a ferroelectric layer formed sequentially on a substrate comprises forming a hard mask on at least one of the at least one conductive layers. The hard mask is used to etch the first conductive layer and the ferroelectric layer at a temperature that may exceed 100 degrees. A semiconductor device comprises first electrodes formed on a substrate, ferroelectric portions formed on the first electrodes, second electrodes formed on the ferroelectric portions, and hard masks formed on the second electrode.
(FR)Cette invention se rapporte à un procédé d'attaque d'un film multicouche, dans lequel le film multicouche comprend au moins une couche conductrice et une couche ferroélectrique formée séquentiellement sur un substrat constitué par la formation d'un masque dur sur au moins l'une desdites couches conductrices. Le masque dur est utilisé pour attaquer la première couche conductrice et la couche ferroélectrique à une température pouvant dépasser 100 degrés. Un dispositif à semi-conducteur produit par ce procédé comprend des première électrodes formées sur un substrat, des parties ferroélectriques formées sur ces premières électrodes, des secondes électrodes formées sur ces parties ferroélectriques, et des masques durs formés sur ces secondes électrodes.
États désignés : CN, KR.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)