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1. (WO2003012834) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A POINTS QUANTIQUES ET A PUITS QUANTIQUES COUPLES ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/012834    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/024379
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 31.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.02.2003    
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 506 South Wright Street, Urbana, IL 61801 (US).
BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 201 West 7th Street, Austin, TX 78701 (US)
Inventeurs : HOLONYAK, Nick, Jr.; (US).
DUPUIS, Russell; (US)
Mandataire : NOVACK, Martin; 16355 Vintage Oaks Lane, Delray Beach, FL 33484 (US)
Données relatives à la priorité :
60/309,149 31.07.2001 US
Titre (EN) COUPLED QUANTUM DOT AND QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A POINTS QUANTIQUES ET A PUITS QUANTIQUES COUPLES ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE DERNIER
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a semiconductor device includes the following steps: providing a plurality of semiconductor layers; providing means for coupling signals to and/or from layers of the device; providing a quantum well disposed between adjacent layers of the device; and providing a layer of quantum dots (825, 875) disposed in one of the adjacent layers, and spaced from the quantum well, whereby carriers can tunnel in either direction between the quantum well and the quantum dots.
(FR)Un procédé de formation d'un dispositif semi-conducteur comprend les étapes suivantes: on utilise une pluralité de couches semi-conductrices; on utilise un/des moyens de couplage des signaux vers les couches du dispositif et/ou en provenance de ces dernières; on utilise un puits quantique situé entre des couches adjacentes du dispositif; et on utilise une couche de points quantiques (825, 875) située dans une des couches adjacentes et espacée du puits quantique, ceci permettant aux supports de se déplacer dans les deux sens entre le puits quantique et les points quantiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)