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1. (WO2003012546) PHOTOMASQUE DE LITHOGRAPHIE A ULTRAVIOLETS EXTREMES (EUVL), A STRUCTURE DAMASQUINEE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/012546    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/022104
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 11.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.02.2003    
CIB :
G03F 1/24 (2012.01), G03F 1/00 (2012.01)
Déposants : INTEL CORPORATION (a Delaware corporation) [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : YAN, Pei-Yang; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, 7th Floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/919,680 31.07.2001 US
Titre (EN) DAMASCENE EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY (EUVL) PHOTOMASK AND METHOD OF MAKING
(FR) PHOTOMASQUE DE LITHOGRAPHIE A ULTRAVIOLETS EXTREMES (EUVL), A STRUCTURE DAMASQUINEE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A phtolithography mask for use with extreme ultraviolet lithography (EUVL) irradiation is disclosed. The mask comprises a multilayer stack that is substantially reflective of said EUV irradiation, a supplemental multilayer stack formed atop the multilayer stack, and an absorber material formed in trenches patterned into the supplemental multilayer stack. The absorber material being substantially absorptive EUV irradiation.
(FR)L'invention se rapporte à un masque photolithographique qui s'utilise avec les rayons de lithographie à ultraviolets extrêmes (EUVL). Ce masque comporte un empilement à plusieurs couches qui réfléchit sensiblement lesdits rayons EUV, un empilement supplémentaire à plusieurs couches installé sur l'empilement à plusieurs couches, et un matériau d'absorption en forme de sillons et disposé dans l'empilement supplémentaire à plusieurs couches, ce matériau d'absorption absorbant sensiblement les rayons EUV.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)