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1. (WO2003012171) STRUCTURE DE SYSTEMES MECANIQUES MICROELECTRIQUES (MEMS) A ENTREFER D'ACTIONNEMENT COMMANDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/012171    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/023421
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 22.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.02.2003    
CIB :
B81B 3/00 (2006.01)
Déposants : GLIMMERGLASS NETWORKS, INC. [US/US]; 26142 Eden Landing Road, Hayward, CA 94545 (US)
Inventeurs : STAKER, Bryan, P.; (US).
TEETER JR., Douglas, L.; (US).
AMM, David, T.; (CA)
Mandataire : ALLEN, Kenneth, R.; Townsend and Townsend and Crew LLP, Two Embarcadero Center, 8th Floor, San Francisco, CA 94111-3834 (US)
Données relatives à la priorité :
09/919,569 30.07.2001 US
Titre (EN) ELECTRO CERAMIC MEMS STRUCTURE WITH CONTROLLED ACTUATOR GAP
(FR) STRUCTURE DE SYSTEMES MECANIQUES MICROELECTRIQUES (MEMS) A ENTREFER D'ACTIONNEMENT COMMANDE
Abrégé : front page image
(EN)In an array apparatus, each MEMS element, comprising an actuatable element and a supportive handle, is mounted over a plurality of electrodes (26, 27) wherein an air gap is controlled by the thickness of the electrodes and not primarily by the structure of the handle (20). The structure of electrostatic actuation electrodes in specific embodiments is disclosed. While the invention is primarily a technique for reducing the air gap (52) without unduly limiting the thickness of the handle, the invention may also be used to establish an air gap greater than the thickness of the handle.
(FR)Dans un appareil en matrice, chaque élément de MEMS, comprenant un composant actionnable et une colonne support, est monté au dessus d'une pluralité d'électrodes (26, 27), un entrefer étant régi par l'épaisseur des électrodes et non pas principalement par la structure de la colonne support (20). Dans des réalisations particulières, il est traité de la structure d'électrodes d'actionnement en mode électrostatique. Même si cette invention porte essentiellement sur une technique permettant de réduire l'entrefer (52) sans limiter indûment l'épaisseur de la colonne, il est toutefois possible, dans le cadre de l'invention, de mettre en place un entrefer plus grand que l'épaisseur de la colonne.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)