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1. (WO2003011951) FILM DE POLYMERE ORGANIQUE, SON PROCEDE DE PRODUCTION ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/011951    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/007388
Date de publication : 13.02.2003 Date de dépôt international : 22.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.07.2002    
CIB :
C08G 61/02 (2006.01), C08J 5/18 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-8010 (JP) (Tous Sauf US).
KARPOV INSTITUTE OF PHYSICAL CHEMISTRY [RU/RU]; 10, Vorontsovo pole str., 105064 Moscow (RU) (Tous Sauf US).
TAKAHASHI, Akio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATSU, Yuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAI, Harukazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YEFIMOVICH, Kardash Igor [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
VLADIMIROVICH, Pebalk Andrei [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
NICOLAEVICH, Chvalun Sergei [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
ANDRANIKOVICH, Mailyan Karen [RU/RU]; (RU) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAHASHI, Akio; (JP).
SATSU, Yuichi; (JP).
NAKAI, Harukazu; (JP).
YEFIMOVICH, Kardash Igor; (RU).
VLADIMIROVICH, Pebalk Andrei; (RU).
NICOLAEVICH, Chvalun Sergei; (RU).
ANDRANIKOVICH, Mailyan Karen; (RU)
Mandataire : TAKADA, Yukihiko; 1-48, Saiwai-cho 2-chome, Hitachi-shi, Ibaraki 317-0073 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001120907 27.07.2001 RU
Titre (EN) ORGANIC POLYMER FILM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
(FR) FILM DE POLYMERE ORGANIQUE, SON PROCEDE DE PRODUCTION ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
Abrégé : front page image
(EN)An organic polymer film which can be produced by a method comprising sublimating a cyclophane compound containing fluorine at 30 to 70˚C, thermally decomposing the sublimated product at 680 to 770˚C into a para−xylylene monomer, polymerizing the para−xylylene monomer on a base plate at −40 to 20˚C to thereby provide a fluorinated poly(para−xylylene), and then subjecting the fluorinated poly(para−xylylene) to specific gradual heating steps of programmed (temperature rising) heating and constant temperature heating; a method for producing the polymer film and a semiconductor device using the polymer film. The organic polymer film exhibits a low dielectric constant and also high heat resistance, and thus can be suitably applied to an insulating layer for use in a semiconductor device.
(FR)L'invention porte sur un film de polymère organique, obtenu par un procédé consistant: à sublimer entre 30 et 70 °C un composé fluoré de cyclophane; à décomposer thermiquement entre 690 et 770 °C le produit sublimé en monomère de para-xylylène; à polymériser le monomère de para-xylylène entre -40 et 20 °C sur une plaque de base de manière à obtenir un poly (para-xylylène) fluoré; puis à soumettre le poly (para-xylylène) fluoré à des paliers progressifs spécifiques programmés de température, puis à une température constante. L'invention porte également sur le procédé de production dudit film de polymère et sur un dispositif semi-conducteur l'utilisant. Ce film de polymère organique, qui présente une faible constante diélectrique et une résistance élevée à la chaleur, peut donc servir de couche isolante pour dispositifs à semi-conducteurs.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)