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1. (WO2003010891) ETAGE DE SORTIE MUNI D'UNE RESISTANCE DE DETECTION PERMETTANT DE MESURER LE COURANT DANS L'ETAGE DE SORTIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/010891    N° de la demande internationale :    PCT/IB2002/003159
Date de publication : 06.02.2003 Date de dépôt international : 22.07.2002
CIB :
H03K 17/06 (2006.01), H03K 19/017 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
JANSSEN, Hendrikus, J. [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : JANSSEN, Hendrikus, J.; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
01202849.4 25.07.2001 EP
Titre (EN) OUTPUT DRIVER EQUIPPED WITH A SENSING RESISTOR FOR MEASURING THE CURRENT IN THE OUTPUT DRIVER
(FR) ETAGE DE SORTIE MUNI D'UNE RESISTANCE DE DETECTION PERMETTANT DE MESURER LE COURANT DANS L'ETAGE DE SORTIE
Abrégé : front page image
(EN)An electronic circuit has an output driver (DRV) for providing a driving signal (U0). The output driver has a transistor (T) with a first main terminal, a second main terminal and a control terminal coupled to receive a control signal (Vcntrl), a power supply terminal (VSS), an output terminal (OUT) for providing the driving signal (U0) that is coupled to the second main terminal, and a sensing resistor (Rm) coupled between the power supply terminal (VSS) and the first main terminal. The output driver (DRV) further has means for temporarily disabling the coupling between the control terminal and the control signal (Vcntrl) during a peak voltage across the sensing resistor (Rm). The means may have a circuit that has a unidirectional current behavior, such as a diode (D), in series with the control terminal of the transistor (T).
(FR)L'invention concerne un circuit électronique doté d'un étage de sortie (DRV) destiné à fournir un signal d'attaque (U¿0?). L'étage de sortie possède un transistor (T) comprenant : une première borne principale, une seconde borne principale et une borne de commande, couplées pour recevoir un signal de commande (V¿cntrl?) ; une borne d'alimentation (V¿ss?) ; une borne de sortie (OUT) destinée à fournir le signal d'attaque (U¿0?), couplée à la seconde borne principale ; et une résistance de détection (R¿m?) couplée entre la borne d'alimentation (V¿ss?) et la première borne principale. L'étage de sortie (DRV) comprend également des moyens permettant d'invalider temporairement le couplage entre la borne de commande et le signal de commande (V¿cntrl?) lorsqu'une tension de crête est appliquée à la résistance de détection (R¿m?). Lesdits moyens peuvent posséder un circuit présentant des propriétés de courant unidirectionnel, tel qu'une diode (D), monté en série avec la borne de commande du transistor (T).
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)