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1. (WO2003010888) DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE A FAIBLES PERTES AVEC COUCHE DIELECTRIQUE DE FORTE PERMITTIVITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/010888    N° de la demande internationale :    PCT/FR2002/002587
Date de publication : 06.02.2003 Date de dépôt international : 19.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.02.2003    
CIB :
H03H 9/02 (2006.01)
Déposants : THALES [FR/FR]; 173, boulevard Haussmann, F-75008 Paris (FR) (Tous Sauf US).
PLESSKY, Victor [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
KOSKELA, Julius [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : PLESSKY, Victor; (FR).
KOSKELA, Julius; (FR)
Mandataire : BROCHARD, Pascale; Thales Intellectual Property, 31/33 Avenue Aristide Briand, F-94117 Arcueil cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
01/09753 20.07.2001 FR
Titre (EN) LOW-LOSS SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE COMPRISING DIELECTRIC LAYER WITH HIGH PERMITTIVITY
(FR) DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE A FAIBLES PERTES AVEC COUCHE DIELECTRIQUE DE FORTE PERMITTIVITE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a low-loss surface acoustic wave device (or SAW device) and is more particularly applicable to SAW devices operating in frequency bands higher than one gigahertz. The inventive device comprises a piezoelectric substrate (2) formed from lithium tantalate (LiTaO¿3?) or lithium niobate (LiNbO¿3?) crystal with Y-X cross-section, an assembly of conductive electrodes (3) and a thin layer (4) of dielectric material with hardness and dielectric permittivity higher than that of the substrate, deposited substantially uniformly on the surface of said substrate, the electrodes being arranged on said layer. Advantageously, the dielectric material (4) consists of titanium dioxide (TiO¿2?).
(FR)L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques de surfaces (ou dispositif SAW) à faibles pertes et s'applique plus particulièrement aux dispositifs SAW fonctionnant dans les bandes de fréquences supérieures au gigahertz. Le dispositif selon l'invention comprend un substrat piézoélectrique (2) formé à partir de cristal de Tantalate de Lithium (LiTaO¿3?) ou de Niobate de Lithium (LiNbO¿3?) de coupe Y-X, un ensemble d'électrodes conductrices (3), et une couche mince (4) d'un matériau diélectrique de dureté et de permittivité diélectrique supérieures à celle du substrat, déposée de façon sensiblement uniforme sur la surface dudit substrat, les électrodes étant disposées sur ladite couche. Avantageusement, le matériau diélectrique (4) est constitué de dioxyde de Titane TiO¿2?.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)