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1. (WO2003010887) ELEMENT MONOCRISTALLIN PIEZO-ELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/010887    N° de la demande internationale :    PCT/AT2002/000213
Date de publication : 06.02.2003 Date de dépôt international : 18.07.2002
CIB :
H03H 9/02 (2006.01)
Déposants : AVL LIST GMBH [AT/AT]; Hans-List-Platz 1, A-8020 Graz (AT) (Tous Sauf US).
THANNER, Herbert [AT/AT]; (AT) (US Seulement).
KREMPL, Peter [AT/AT]; (AT) (US Seulement).
REITER, Christian [AT/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : THANNER, Herbert; (AT).
KREMPL, Peter; (AT).
REITER, Christian; (AT)
Mandataire : BABELUK, Michael; Mariahilfer Gürtel 39/17, A-1150 Wien (AT)
Données relatives à la priorité :
A 1171/01 26.07.2001 AT
10/086,537 04.03.2002 US
Titre (DE) PIEZOELEKTRISCHES EINKRISTALLELEMENT
(EN) PIEZOELECTRIC SINGLE-CRYSTAL ELEMENT
(FR) ELEMENT MONOCRISTALLIN PIEZO-ELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein piezoelektrisches Einkristallelement, welches an zumindest einer Oberfläche oder an gegenüberliegenden Oberflächen Anregungselektroden aufweist und zu einer Dickenscherschwingung anregbar ist. Erfindungsgemäß weist das Einkristallelement einen Kristallschnitt mit einer anregbaren Grundtonresonanzfrequenz im Dickenschermode auf, bei welcher der effektiv wirkende elektromechanische Kopplungsfaktor k¿eff? zwischen 0,05 % und 2 %, liegt, sowie dass der lineare Temperaturkoeffizient der Grundtonresonanzfrequenz an zumindest einer Stelle im Bereich der Betriebstemperatur des piezoelektrischen Einkristallelementes, vorzugsweise im Bereich zwischen 10°C und 100°C, Null ist. Damit lassen sich Resonatoren mit einer hohen Schwingungsgüte herstellen.
(EN)The invention relates to a piezoelectric single-crystal element, which has excitation electrodes situated on at least one surface or on opposing surfaces and can be exited to a thickness shear oscillation. According to the invention, the single-crystal element has a crystal cut having an excitable fundamental tone resonance frequency in the thickness shear mode in which the effectively active electromechanical coupling factor k¿eff? lies between 0.05 % and 2 % and the linear temperature coefficient of the fundamental tone resonance frequency is zero at at least one location in the range of the working temperature of the piezoelectric single-crystal element, preferably ranging from 10 °C to 100 °C. This enables the production of resonators that have a high oscillation quality.
(FR)L'invention concerne un élément monocristallin piézo-électrique qui présente des électrodes d'excitation sur au moins une surface ou sur des surfaces opposées et qui peut être excité pour atteindre une vibration en cisaillement d'épaisseur. Selon l'invention, l'élément monocristallin présente une coupe cristalline avec une fréquence de résonance fondamentale excitable en mode de cisaillement d'épaisseur pour laquelle le facteur d'accouplement électromécanique efficace k¿eff? est compris entre 0,05 % et 2 %, et le coefficient de température linéaire de la fréquence de résonance fondamentale est égal à zéro à au moins un emplacement dans la plage de la température de fonctionnement de l'élément monocristallin piézo-électrique, de préférence dans la plage allant de 10 °C à 100 °C. On peut ainsi produire des résonateurs ayant une qualité de vibration élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)