WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003010881) OSCILLATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/010881    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/006552
Date de publication : 06.02.2003 Date de dépôt international : 28.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.01.2003    
CIB :
H01L 21/761 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H03B 5/12 (2006.01)
Déposants : NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. [JP/JP]; 5-13, Nishishiromachi 2-chome, Jouetsu-shi, Niigata 943-0834 (JP) (Tous Sauf US).
MIYAGI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYAGI, Hiroshi; (JP)
Mandataire : AMAGAI, Masahiko; Amagai Tokkyo Jimusyo, 2nd Floor, Kitashinjuku OC Build., 8-15, Kitashinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 169-0074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-224892 25.07.2001 JP
2001-395235 26.12.2001 JP
Titre (EN) OSCILLATOR
(FR) OSCILLATEUR
Abrégé : front page image
(EN)An oscillator capable of reducing a noise component when partly formed by using the CMOS process or the MOS process. A high−frequency amplifier circuit, a mixer circuit, a local oscillator (13), an intermediate−frequency filter, an intermediate−frequency amplifier circuit, a limit circuit, an FM detector circuit, and a stereo demodulator circuit which constitute an FM receiver are formed as a single chip part. The local oscillator (13) is formed on a semiconductor substrate by using the CMOS process or the MOS process and transistors constituting the circuit are p−channel type FET (21, 22). Moreover, the local oscillator (13) has a resonance circuit whose one end is connected to a DC bias circuit composed of a resistor (27) and the center voltage of the oscillation is set to a value higher than 0V.
(FR)L'invention concerne un oscillateur capable de réduire un composant de bruit lorsqu'il est partiellement formé au moyen de procédé CMOS ou MOS. Un circuit amplificateur haute fréquence, un circuit mélangeur, un oscillateur local (13), un filtre de fréquence intermédiaire, un circuit amplificateur de fréquence intermédiaire, un circuit limiteur, un circuit détecteur MF et un circuit démodulateur stéréo constituent un récepteur MF sous forme d'une partie de puce unique. L'oscillateur local (13) est formé sur un substrat semi-conducteur au moyen de procédé CMOS ou MOS et les transistors constituant le circuit sont de type à effet de champ à canal p (21, 22). En outre, l'oscillateur local (13) comprend un circuit de résonance dont une extrémité est connectée à un circuit de polarisation CC composé d'une résistance (27) la tension centrale de l'oscillation étant réglée à une valeur supérieure à 0V.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)