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1. (WO2003010834) STRUCTURE PIEZOELECTRIQUE MICROELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/010834    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/020214
Date de publication : 06.02.2003 Date de dépôt international : 26.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.01.2003    
CIB :
H01L 41/08 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01), H01L 41/22 (2013.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : RAMESH, Ramamoorthy; (US).
WANG, Yu; (CN).
FINDER, Jeffrey, M.; (US).
YU, Zhiyi; (US).
DROOPAD, Ravindranath; (US).
EISENBEISER, Kurt; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; 3102 North 56th Street, AZ11/56-238, Phoenix, AZ 85018-6606 (US)
Données relatives à la priorité :
09/912,994 25.07.2001 US
Titre (EN) MICROELECTRONIC PIEZOELECTRIC STRUCTURE
(FR) STRUCTURE PIEZOELECTRIQUE MICROELECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A high quality epitaxial layer of monocrystalline Pb(Zr,Ti)O3 (110) can be grown overlying large silicon wafers by first growing an strontium titanate layer (104) on a silicon wafer (102). The strontium titanate layer is a monocrystalline layer spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer (116) of silicon oxide. Monocrystalline conductive layers of (La,Sr)CoO3 (106, 108) are formed adjacent the active layer (110) thus constituting piezoelectric devices or ferroelectric memory elements.
(FR)Selon cette invention, une couche épitaxiale monocristalline de haute qualité de Pb(Zr, Ti)O¿3? peut être formée de manière qu'elle recouvre de grandes tranches de silicium (102) selon un procédé consistant à former une couche de titanate de strontium (104) sur une tranche de silicium (102). Cette couche de titanate de strontium est une couche monocristalline séparée de la tranche de silicium par une couche interface amorphe (116) d'oxyde de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)