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1. (WO2003010828) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE A COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/010828    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/006360
Date de publication : 06.02.2003 Date de dépôt international : 23.07.2001
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), G01P 15/08 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8310 (JP) (Tous Sauf US).
OKUMURA, Mika [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HORIKAWA, Makio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIBASHI, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISIGAMI, Takehumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKUMURA, Mika; (JP).
HORIKAWA, Makio; (JP).
ISHIBASHI, Kiyoshi; (JP).
NISIGAMI, Takehumi; (JP)
Mandataire : YOSHIDA, Shigeaki; Sumitomo-seimei OBP Plaza Building 10th Floor 4-70, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 540-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN−FILM STRUCTURE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE A COUCHE MINCE
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a thin−film structure by a semiconductor processing technique, in which the difference between the stresses in the sacrifice film and the substrate in thermal shrinkage can be reduced. The sacrifice film (51) formed on a substrate (1) is a PSG film that contains phosphorus at a concentration of between 3 mol% and 4 mol%. A thin−film layer (53) is formed on the sacrifice film (51) and patterned, and then the sacrifice film (51) is removed by etching.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure à couche mince, à l'aide d'une technique de traitement de semi-conducteur, dans laquelle la différence entre les contraintes dans le film sacrificiel et le retrait thermique du substrat peut être réduite. Le film sacrificiel (51) formé sur un substrat (1) est un film PSG (verre de phosphosilicate) contenant du phosphore à une concentration comprise entre 3 et 4 mole %. Une couche mince (53) est formée sur le film sacrificiel (51) puis configurée, le film sacrificiel (51) étant ensuite éliminé par gravure.
États désignés : CN, DE, JP, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)