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1. (WO2003010812) FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS A BARRIERES DE SCHOTTKY
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/010812    N° de la demande internationale :    PCT/IB2002/002892
Date de publication : 06.02.2003 Date de dépôt international : 24.07.2002
CIB :
H01L 21/329 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : GROVER, Raymond, J.; (NL).
PEAKE, Steven, T.; (NL)
Mandataire : STEVENS, Brian, T.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
0118000.9 24.07.2001 GB
Titre (EN) MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH SCHOTTKY BARRIERS
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS A BARRIERES DE SCHOTTKY
Abrégé : front page image
(EN)In the manufacture of trench-gate power MOSFETs, trenched Schottky rectifiers and other devices including a Schottky barrier, a guard region (15s), trenched insulated electrode (11s) and the Schottky barrier (80) are self-aligned with respect to each other by providing spacers (52) to form a narrow window (52a) at a wider window (51a) in a mask pattern (51, 51s) that masks where the Schottky barrier (80) is to be formed. The trenched insulated electrode (11s) is formed by etching a trench (20) at the narrow window (52a) and by providing insulating material (17) and then electrode material (11s) in the trench. The guard region (15s) is provided by introducing dopant (61) via the wider window (51a). The mask pattern (51, 51s) masks the underlying body portion against this dopant introduction and is sufficiently wide (y8) to prevent the dopant (61) from extending laterally into the area where the Schottky barrier (80) is to be formed. Then at least the mask pattern (51, 51s) is removed before depositing a Schottky electrode (33).
(FR)Lors de la fabrication de MOSFET de puissance à gâchettes en tranchée, de redresseurs de Schottky en tranchée et d'autres dispositifs comprenant une barrière de Schottky, une zone de protection (15s), une électrode isolée en tranchée (11s) et la barrière de Schottky (80) sont alignées automatiquement les unes par rapport aux autres par des écartements (52) formant une fenêtre étroite (52a) au niveau d'une fenêtre plus large (51a) dans un motif de masque (51, 51s) masquant l'emplacement où doit se former la barrière de Schottky (80). L'électrode isolée en tranchée (11s) est formée par gravure d'une tranchée (20) au niveau de la fenêtre étroite (52a) et par l'apport d'une matière isolante (17), puis d'une matière d'électrode (11s) dans la tranchée. La zone de protection (15s) s'obtient par l'introduction d'un dopant (61) via la fenêtre plus large (51a). Le motif de masque (51, 51s) masque le corps sous-jacent plaqué contre l'introduction du dopant et est suffisamment large (y8) pour éviter que le dopant (61) ne s'étende latéralement dans la zone où la barrière de Schottky (80) doit être formée. Ensuite le motif de masque au moins (51, 51) est retiré avant le dépôt de l'électrode de Schottky (33).
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)