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1. (WO2003010772) DISPOSITIF NON ORTHOGONAL DE MEMOIRE VIVE MAGNETIQUE (MRAM)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/010772    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/003043
Date de publication : 06.02.2003 Date de dépôt international : 24.01.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.08.2002    
CIB :
G11C 11/15 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/22 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street, San Jose, CA 95112-4508 (US)
Inventeurs : HOENIGSCHMID, Heinz; (US)
Mandataire : BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation, Intellectual Property Dept., 186 Wood Ave. South, Iselin, NJ 08830 (US).
EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26, D-80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
60/263,966 24.01.2001 US
09/818,010 27.03.2001 US
Titre (EN) NON ORTHOGONAL MRAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF NON ORTHOGONAL DE MEMOIRE VIVE MAGNETIQUE (MRAM)
Abrégé : front page image
(EN)An MRAM device (100) and method of manufacturing thereof having wordlines (112) that run non-orthogonal relative to bitlines (122), resulting in lower current and power consumption.
(FR)L'invention concerne un dispositif de MRAM (100) ainsi qu'un procédé de fabrication de celui-ci. Ce dispositif comporte des lignes de mots (112) non orthogonales par rapport à des lignes de bits (122), ce qui a pour résultat une consommation inférieure de puissance et de courant.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)