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Paramétrages

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1. WO2003009382 - STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES AVEC COMPOSANTS DE COMMANDE INTEGRES

Numéro de publication WO/2003/009382
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/013819
Date du dépôt international 02.05.2002
CIB
H01L 21/8258 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
8258le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 ou H01L21/8256229
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01S 5/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/026 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042Excitation électrique
CPC
H01L 21/8258
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
8258the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by ; H01L21/8206, H01L21/8213; , H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 or H01L21/8256
H01L 27/0605
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0605integrated circuits made of compound material, e.g. AIIIBV
H01L 27/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
H01S 2301/173
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
17Semiconductor lasers comprising special layers
173The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
H01S 5/021
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
0206Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding;
021Silicon based substrates
H01S 5/0261
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
0261Non-optical elements, e.g. laser driver components, heaters
Déposants
  • MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US
Inventeurs
  • EMRICK, Rudy, M.; US
  • ESCALERA, Nestor, J.; US
  • FARBER, Bryan, K.; US
  • ROCKWELL, Stephen, K.; US
  • HOLMES, John, E.; US
  • BOSCO, Bruce, A.; US
  • FRANSON, Steven, J.; US
Mandataires
  • KOCH, William, E.; Motorola Labs 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606, US
Données relatives à la priorité
09/905,93217.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH INTEGRATED CONTROL COMPONENTS
(FR) STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES AVEC COMPOSANTS DE COMMANDE INTEGRES
Abrégé
(EN)
Controlling and controlled components are integrated on a monolithic device. High quality epitaxial layers of monocrystalline materials (26, 132)can be grown overlying monocrystalline substrates (22,110) such as large silicon wafers by forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. An accommodating buffer layer (24,124) comprises a layer of monocrystalline oxide spaced apart from a silicon wafer by an amorphous interface layer (28) of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. The accommodating buffer layer is lattice matchedto both the underlying silicon wafer and the overlying monocrystalline material layer. Any lattice mismatch betweenthe accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer. In addition, formation of a compliant substrate may include utilizing surfactant enhanced epitaxy, epitaxial growth of single crystal silicon onto single crystal oxide, and epitaxial growth of Zintl phase materials. By providing both compound (1022)and Group IV semiconductor materials (1024,1026) in one integrated circuit, both control and controlled components are integrated on one device.
(FR)
Le procédé selon l'invention consiste à intégrer des composants de commande et commandés sur un dispositif monolithique. Ledit procédé consiste à faire croître des couches épitaxiales de grande qualité de matériaux monocristallins (26, 132) par dessus des substrats monocristallins (22, 110) tels que de grandes plaquettes de silicium, par formation d'un substrat adaptatif permettant la croissance des couches monocristallines. Une couche tampon de réception (24, 124) comprend une couche d'oxyde monocristallin, isolée de la plaquette de silicium par une couche d'interface amorphe (28) d'oxyde de silicium. La couche d'interface amorphe dissipe la tension et permet la croissance d'une couche tampon de réception d'oxyde monocristallin de grande qualité. La couche tampon de réception est associée en réseau à la fois à la plaquette de silicium sous-jacente et à la couche de matériau monocristallin sus-jacente. Tout décalage de réseau entre la couche tampon de réception et le substrat de silicium sous-jacent est pris en charge par la couche d'interface amorphe. De plus, la formation d'un substrat adaptatif peut comprendre le recours à une épitaxie renforcée par un tensio-actif, à la croissance épitaxiale d'un silicium monicristallin sur un oxyde monocristallin, et à la croissance épitaxiale de matériaux à phase Zintl. Le regroupement de matériaux semi-conducteurs composés (1022) et de Groupe IV (1024, 1026) dans un seul circuit intégré permet d'intégrer les composants de commande et commandés sur un dispositif unique.
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