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Paramétrages

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1. WO2003009377 - STRUCTURES A SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT DES SURFACES COPLANAIRES

Numéro de publication WO/2003/009377
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/022801
Date du dépôt international 17.07.2002
CIB
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/8258 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
8258le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 ou H01L21/8256229
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
CPC
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02488Insulating materials
H01L 21/02505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02505consisting of more than two layers
H01L 21/02513
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02513Microstructure
H01L 21/02521
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
H01L 21/8258
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
8258the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by ; H01L21/8206, H01L21/8213; , H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 or H01L21/8256
Déposants
  • MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US
Inventeurs
  • MASTROIANNI, Sal, T.; US
Mandataires
  • KOCH, William, E.; 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606, US
Données relatives à la priorité
09/908,88320.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH COPLANER SURFACES
(FR) STRUCTURES A SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT DES SURFACES COPLANAIRES
Abrégé
(EN)
High quality epitaxial layers of monocrystalline materials (313) can be grown overlying monocrystalline substrates (301) such as large silicon wafers by forming a compliant substrate for growing the monocrystalline layers. An accommodating buffer layer (315) comprises a layer of monocrystalline oxide spaced apart from a silicon wafer by an amorphous interface layer (316) of silicon oxide. In addition, formation of a compliant substrate may include utilizing surfactant enhanced epitaxy, epitaxial growth of single crystal silicon onto single crystal oxide, and epitaxial growth of Zintl phase materials. The epitaxial monocrystalline material has an upper surface (322) that is positioned coplanar with a surface of an adjacent layer carried by the substrate, thereby facilitating the fabrication of overlying layers that bridge the epitaxial monocrystalline material and the adjacent layer.
(FR)
On peut faire pousser des couches épitaxiales de haute qualité de matières monocristallines (313) au-dessus de substrats monocristallins (301) tels que de grandes tranches de silicium lorsqu'on forme un substrat adapté pour faire pousser les couches monocristallines. Une couche (315) de tampon d'accommodation comprend une couche d'oxyde monocristallin espacée d'une tranche de silicium par une couche (316) d'interface amorphe en oxyde de silicium. La formation d'un substrat adapté peut en outre comprendre l'utilisation d'une épitaxie renforcée par tensioactif, la croissance épitaxiale de silicium monocristallin sur un oxyde monocristallin et la croissance épitaxiale de matériaux à phases de Zintl. La matière monocristalline épitaxiale comporte une surface supérieure (322) qui est positionnée dans le même plan qu'une surface d'une couche adjacente supportée par le substrat, ceci facilitant la fabrication de couches sus-jacentes qui relient la matière monocristalline épitaxiale et la couche adjacente.
Également publié en tant que
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