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1. WO2003009373 - PHOTOTRANSISTOR A GUIDE D'ONDE A EPICOUCHE ECLAIRE SUR DEUX BORDS TERMINAUX

Numéro de publication WO/2003/009373
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/022115
Date du dépôt international 12.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 27.01.2003
CIB
H01L 31/0232 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0232Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 31/11 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
11caractérisés par deux barrières de potentiel ou de surface, p.ex. phototransistor bipolaire
CPC
H01L 31/03046
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
0304including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
03046including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
H01L 31/1105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
11characterised by two potential barriers or surface barriers, e.g. bipolar phototransistor
1105the device being a bipolar phototransistor
Y02E 10/544
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
544Solar cells from Group III-V materials
Déposants
  • SCOTT, David, C. [US/US]; US
  • VANG, Timothy, A. [US/US]; US
  • KALLURI, Srinath [US/US]; US
Inventeurs
  • SCOTT, David, C.; US
  • VANG, Timothy, A.; US
  • KALLURI, Srinath; US
Mandataires
  • PARSONS, Robert, A.; 340 East Palm Lane Suite 260 Phoenix, AZ 85004, US
Données relatives à la priorité
09/907,31817.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TWO TERMINAL EDGE ILLUMINATED EPILAYER WAVEGUIDE PHOTOTRANSISTOR
(FR) PHOTOTRANSISTOR A GUIDE D'ONDE A EPICOUCHE ECLAIRE SUR DEUX BORDS TERMINAUX
Abrégé
(EN)
An edge illuminated epilayer waveguide phototransistor including a subcollector layer (30) formed from an epitaxially grown quaternary semiconductor material, such as heavily doped InGaAsP. A collector region (40) of undoped InGaAs is epitaxially grown on the subcollector layer (30). A base region (50) of moderately doped InGaAs is epitaxially grown on the collector layer (40). An emitter region (80), including a doped InGaAsP layer (90), a doped InP layer (100), and a heavily doped InGaAs emitter contact layer (110), is epitaxially grown on the base layer (50). The various layers and regions are formed so as to define an edge illuminated facet for receiving incident light. Also, the base does not have an ohmic contact so that the base thickness can be minimized. Finally, the base doping concentration is minimized so that the gain-bandwidth product can be maximized.
(FR)
Un phototransistor à guide d'onde à épicouche éclairé sur deux bords terminaux comprend une couche de sous-collecteur (30), formée à partir d'un matériau semi-conducteur quaternaire à croissance épitaxiale tel qu'un InGaAsP lourdement dopé. Une région de collecteur (40) de InGaAs non dopé est formée par croissance épitaxiale sur la couche de sous-collecteur (30). Une région de base (50) d'un InGaAsP modérément dopé est formée par croissance épitaxiale sur la couche de collecteur (40). Une région d'émetteur (80), y compris une couche InGaAsP non dopée (90), une couche InP dopée (100) et une couche InGaAs lourdement dopée du contact d'émetteur (110), est formée par croissance épitaxiale sur la couche de base (50). Les différentes couches et régions sont formées de manière à définir une facette éclairée sur les bords de manière à recevoir la lumière incidente. La base n'a aucun contact ohmique, ce qui permet de réduire au minimum son épaisseur. Finalement, la concentration de dopage de base est réduite au minimum, de manière à porter au maximum le produit gain - largeur de bande.
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