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Paramétrages

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1. WO2003009372 - PILE BICOUCHE DE NITRURE DE TANTALE A FAIBLE RESISTIVITE/TANTALE

Numéro de publication WO/2003/009372
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/018988
Date du dépôt international 17.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 07.02.2003
CIB
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/532 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
532caractérisées par les matériaux
CPC
H01L 21/2855
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
28506of conductive layers
28512on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
2855by physical means, e.g. sputtering, evaporation
H01L 21/76843
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76841Barrier, adhesion or liner layers
76843formed in openings in a dielectric
H01L 21/76846
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76841Barrier, adhesion or liner layers
76843formed in openings in a dielectric
76846Layer combinations
H01L 23/53238
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
532characterised by the materials
53204Conductive materials
53209based on metals, e.g. alloys, metal silicides
53228the principal metal being copper
53238Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
H01L 23/53257
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
532characterised by the materials
53204Conductive materials
53209based on metals, e.g. alloys, metal silicides
53257the principal metal being a refractory metal
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs
  • RENGARAJAN, Suraj; US
  • MILLER, Michael, A.; US
  • DING, Peijun; US
  • CHIANG, Tony, P.; US
Mandataires
  • PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd. Suite 1500 Houston, TX 77056, US
Données relatives à la priorité
60/306,69820.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LOW RESISTIVITY TANTALUM NITRIDE/TANTALUM BILAYER STACK
(FR) PILE BICOUCHE DE NITRURE DE TANTALE A FAIBLE RESISTIVITE/TANTALE
Abrégé
(EN)
Provided herein is a method of forming a low resistivity tantalum nitride/tantalum bilayer stack at a low temperature, comprising the steps of depositing a tantalum nitride layer on a dielectric layer; and depositing a tantalum layer over the tantalum nitride layer such that the tantalum layer deposited at the low temperature comprises alpha phase tantalum thereby forming a low resistivity bilayer stack. Also provided is a method of forming a copper barrier and seed layer on a semiconductor wafer by the methods disclosed herein.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de former une pile bicouche de nitrure de tantale à faible résistivité/tantale à une température basse, qui comprend les étapes suivantes : déposer une couche de nitrure de tantale sur une couche diélectrique ; et déposer une couche de tantale sur la couche de nitrure de tantale, de sorte que la couche de tantale déposée à une température basse comprenne du tantale en phase alpha, de manière à former une pile bicouche à faible résistivité. L'invention concerne également un procédé permettant de former une barrière de cuivre et une couche de cristal germe sur une tranche de semi-conducteur, à l'aide des procédés décrits dans la présente invention.
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