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Paramétrages

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1. WO2003009366 - PROCEDE D'AMELIORATION DE L'ETAT DE SURFACE D'UNE PLAQUETTE SEMICONDUCTRICE

Numéro de publication WO/2003/009366
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/FR2002/002543
Date du dépôt international 16.07.2002
CIB
H01L 21/324 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/3247
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
3247for altering the shape, e.g. smoothing the surface
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
Déposants
  • S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 Bernin, FR (AllExceptUS)
  • MALEVILLE, Christophe [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • NEYRET, Eric [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs
  • MALEVILLE, Christophe; FR
  • NEYRET, Eric; FR
Mandataires
  • MARTIN, Jean-Jacques ; Cabinet Regimbeau 20, rue de Chazelles F-75847 Paris Cedex 17, FR
Données relatives à la priorité
010949516.07.2001FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR ENHANCING SURFACE CONDITION OF A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE D'AMELIORATION DE L'ETAT DE SURFACE D'UNE PLAQUETTE SEMICONDUCTRICE
Abrégé
(EN)
The invention concerns a method for enhancing the condition of the free surface of a semiconductor material wafer, said method comprising a step which consists in rapid thermal annealing so as to smooth said free surface. The invention is characterised in that said method consists, prior to rapid thermal annealing, in a treatment of a surface zone of the wafer so as to prevent occurrence of pitting during rapid thermal annealing, and the rapid thermal annealing process can be carried out under non-reducing atmosphere. The invention also concerns a structure produced by said method.
(FR)
L'invention propose un procède d'amélioration de l'etat de la surface libre d'une tranche de matériau semiconducteur, ledit procédé comprenant une étape de recuit thermique rapide afin de lisser ladite surface libre, caractérisé en ce que le procédé comporte préalablement au recuit thermique rapide un traitement d'une zone superficielle de la tranche en vue de prévenir l'apparition du piquage lors du recuit thermique rapide, et le recuit thermique rapide peut être effectue sous atmosphère non réductrice. L'invention propose également une structure réalisée par un tel procédé.
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